1) nonlinear superposition law
非线性叠加原理
1.
The dynamical problem of a variable frequency oscillator perturbed by an inverse square potential with a force quadratic in velocity is resolved by the nonlinear superposition law.
对Ermakon系统进行了推广 ,并根据非线性叠加原理解决了存在平方反比势时受速度平方力的变频率谐振子的动力学问
2) method of linear superposition
线性叠加原理
3) principle of linear superposition of the force
力的线性叠加原理
1.
Based on the measured value of P&H 2300 XP excavator, this paper analyzed great deal of the data of bucket and resolved the restrain of bucket boundary and the calculation load at the tooth by using the principle of linear superposition of the force.
文章运用力的线性叠加原理成功地解决了这一问题,分析了铲斗各部分的结构性能,并讨论了载荷对铲斗分析的影响。
4) the risk nonlinear adding
非线性风险叠加
5) nonlinear superposition formula
非线性叠加公式
6) principle of superposition
叠加原理
1.
Using the principle of superposition,a simplified computational method of mass concrete surface temperature change,the lowest temperature value and temperature stress is provided when the temperature drops quickly.
采用叠加原理,研究气温骤降时,大体积混凝土表面的温度变化、最低温度值和温度应力的简化计算方法。
2.
Flat plate steady mathematical model and non steady symmetric model are presented, the analytical solution of temperature of powder is derived on the basis of non steady symmetric model in spheroidal coordinates with the methods of mathematical transformation and principle of superposition.
从火药颗粒的球对称非定常模型出发，利用叠加原理和数学变换导出了火药颗粒表面温度的分析解。
3.
The energy of electric field stored in the capacitor placed in an alternating electromagnatic field is concluded by using the principle of superposition and by starting with Maxwell equations.
本文运用叠加原理,从麦克斯韦方程的积分形式出发推导出在交变电磁场中储藏在电容器中的电场能量,并且指出了决定电容器电容数值的因素。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条