1) microwave components design
微波器件设计
2) microwave design
微波设计
3) microwave device
微波器件
1.
Electrical performance design and practice of metal-ceramicpackages for microwave devices;
微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践——微波器件封装之一
2.
This paper emphatically introduces new type optical devices,microwave devices,lightwave-microwave devices and modules(lightwave-microwave T/R inedules),and their applications in the modern radar.
着重介绍了新型光学器件、微波器件、光波－微波器件和组件（如光波－微波Ｔ／Ｒ组件）及其在现代雷达中的应用。
3.
Finally it introduces the application of RF conductance profile in analyzing and calculating the rough surface RF equivalent conductivity and optimizing the technical process of RF microwave devices.
提出了粗糙表面射频电导轮廓的概念及物理意义,介绍了与射频电导轮廓相关的技术指标和测量、计算方法,对射频电导轮廓在分析计算粗糙表面射频等效电导率、优化射频微波器件加工工艺流程等方面的应用情况进行了简介。
4) microwave devices
微波器件
1.
The high power multipactor discharge test technology for satellite antennas and microwave devices;
卫星天线及微波器件大功率微放电试验技术
2.
BST)thin films have excellent fer roelectric/dielectric properties and promising application prospect in tunable microwave devices and dynamic random ac- cess devices.
铁电钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x))TiO_3是一种具有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调微波器件及动态随机存储器件方面有很好的应用前景。
5) Microwave component
微波器件
1.
HPM effect analysis and modeling method for microwave components based on effect data
基于效应数据的微波器件HPM效应分析及建模方法
2.
The paper takes example for microstrip line, 3dB directional coupler and low-pass filter, studies the performance varieties of microwave components which are placed in time-varying media (only when electrical conductivity σ is changeable), and the simulation results show all of them do not work well.
将时域有限差分法 (FDTD)拓展到时变媒质中 ,并对电磁波在时变媒质中的传输特性进行了系统分析 ,接着以微带线、3dB定向耦合器、低通滤波器为例 ,研究了时变媒质 (仅电导率σ变化时 )对置于其中的微波器件引起的性能变化 ,仿真结果表明这些微波器件已无法正常工作。
3.
The recent progress on chip multilayer microwave components such as filters,antenna and reso.
概述了滤波器、天线、谐振器等片式多层微波器件的研究进展。
补充资料：微波电控器件
利用参数可电调的材料和器件组成的控制微波信号幅度或相位的器件。可电调的材料和器件主要有半导体二极管（如PIN管、 变容管和肖特基管等）和铁氧体材料（见微波铁氧体器件）。控制信号幅度的器件有衰减器、调幅器、开关器和限幅器等；控制信号相位的有移相器和调相器等。
PIN管具有不同的正反向特性,当它被反向偏置时可等效为小电容而近似开路，而在正向偏置时则可等效为可变电阻,若偏压增大,其阻值则减小。PIN管衰减器(图1)就是利用这一特性工作的,从它的等效电路（图2）可见,当PIN管反偏置时，衰减器即相当于滤波器，可设计成几乎没有衰减，而PIN管正偏置时，衰减器为一电阻衰减器,改变偏压即可改变衰减。若正偏置衰减甚大而反向偏置衰减甚小，衰减器即成为开关器。若以调制信号作为偏置电压，则通过衰减器的微波信号会受到幅度调制，遂成为调幅器。 图3为典型的 PIN管加载线移相器。当PIN管被正偏置时,可等效为高电阻而近似开路，信号从A到B的相移为θ1;而PIN管为反偏置时,可等效为小电容,信号从A到B的相移变为θ2,两者之差就是移相器的相移。这种加载线移相器只能产生较小的相移；较大的相移则须采用混合接头移相器等其他结构才能实现。若把移相器的正偏置相移视为零，而将反偏置相移设计成π，则移相器就成为0～π调相器。若用变容管代替PIN管并调节偏压值，则构成相移量连续变化的电控可变移相器。
由于电控器件的控制对象不同，所要求的指标也不一样。除了工作频率、频带宽度和输入电压驻波比等一般要求之外，还应有诸如开关时间、开关功率等特殊指标。
PIN管具有不同的正反向特性,当它被反向偏置时可等效为小电容而近似开路，而在正向偏置时则可等效为可变电阻,若偏压增大,其阻值则减小。PIN管衰减器(图1)就是利用这一特性工作的,从它的等效电路（图2）可见,当PIN管反偏置时，衰减器即相当于滤波器，可设计成几乎没有衰减，而PIN管正偏置时，衰减器为一电阻衰减器,改变偏压即可改变衰减。若正偏置衰减甚大而反向偏置衰减甚小，衰减器即成为开关器。若以调制信号作为偏置电压，则通过衰减器的微波信号会受到幅度调制，遂成为调幅器。 图3为典型的 PIN管加载线移相器。当PIN管被正偏置时,可等效为高电阻而近似开路，信号从A到B的相移为θ1;而PIN管为反偏置时,可等效为小电容,信号从A到B的相移变为θ2,两者之差就是移相器的相移。这种加载线移相器只能产生较小的相移；较大的相移则须采用混合接头移相器等其他结构才能实现。若把移相器的正偏置相移视为零，而将反偏置相移设计成π，则移相器就成为0～π调相器。若用变容管代替PIN管并调节偏压值，则构成相移量连续变化的电控可变移相器。
由于电控器件的控制对象不同，所要求的指标也不一样。除了工作频率、频带宽度和输入电压驻波比等一般要求之外，还应有诸如开关时间、开关功率等特殊指标。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条