1) ion sensitive field effect transistor
离子敏感场效应管
1.
Study on ephedrine sensor by ion sensitive field effect transistor;
麻黄碱离子敏感场效应管传感器的研究(英文)
2) Ion sensitive field effect transistor
离子敏感场效应晶体管
1.
A kind of lidocaine drug FETS by the combination of ion sensitive field effect transistor (ISFET) and drug sensitive membrane was developed with sodium tetraphenyl borate as electric active materials,DBP as plasticizer with 5% of PVC of tetrahydrofuran solution deposited on the ISFET gate area.
以四苯硼钠为电活性物质，邻苯二甲酸二丁酯为增塑剂与５％的聚氯乙烯四氢呋喃溶液混合，涂覆在离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的栅极上，制得一种对利多卡因响应的药物敏感离子场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）。
3) ISFET sensor
离子敏场效应管传感器
4) ISFET
离子敏场效应管
1.
This paper presents a measuring system of the concentration of penicillin with DSP based on the theory of ISFET.
本文基于离子敏场效应管的工作原理,设计了以DSP为核心单元的青霉素浓度测试系统。
5) ISFET Electrode
离子敏感场效应晶体管电极
6) ion sensitive field effect transistor(ISFET)
离子敏场效应晶体管
补充资料：场效应晶体管
| 场效应晶体管 field effect transistor 利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 |
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参考词条