1) CsI:T1 crystal
CsI:T1晶体
1.
The principle experiments carried on 30MeV frequency modulation accelerator and the quantitative measurements on the 60Co radiative source have proved the linear responsibility of CsI∶T1 crystal to the incident x-ray.
在30 MeV的射频加速器上进行的原理性实验及在60Co放射源上的定量测量实验已证明了理论推导的CsI∶T1晶体对X光响应具有线性的结论。
2) CsI(T1) crystal
CsI（T1）晶体
3) Cs+
Cs+
1.
The adsorption property of Cs++ by the three mineral materials was researched using continuum method,it offered some references for evaluating the disposition effect of mid-lower radwaste.
采用连续法研究了3种矿物材料对Cs+的吸附性能,为评价中低放核废物处置效果提供一些参考依据。
2.
The absorption of gyrolite to Sr2+ is better than that to Cs++.
通过水热合成法,制备了白钙沸石,同时研究了合成矿物对于Cs+和Sr2+的离子吸附性能。
3.
The characteristics of Cs++ biosorption by Saccharomyces cerevisia was investigated,including the biosorption kinetics,biosorption equilibrium,isotherm as well as the IR spectrum of biomass pre-and post-biosorption.
实验研究金属Cs+在酿酒酵母上的生物吸附特性,包括生物吸附动力学、吸附平衡、吸附等温线以及菌体吸附Cs+前后红外光谱的变化。
4) Cs
Cs
1.
The Study of the Sr,Co and Cs Ions Adsorption Capability of Halloysite in Zunyi of Guizhou Province;
贵州遵义埃洛石对Sr、Co、Cs的吸附性能实验研究
2.
The Study on the Adsorption Capability of Kaolin Clays forSimulant Radionuclides Sr, Co, Cs;
高岭土类粘土矿物材料对模拟核素Sr、Co、Cs的吸附性能研究
3.
Adsorption Behavior of Sr and Cs in Hydrated Paste Powder of Alkai-activated Slag-clay Minerals Composite Cement;
Sr、Cs在碱矿渣-粘土复合水泥水化物粉体中的吸附行为
5) Cesium
Cs
1.
Research progress on separations of Rubidium and Cesium from saline;
盐湖Rb、Cs资源提取分离的研究进展
2.
The single phase solid solution of hollandite solid-soluted cesium was synthesized in Cs2CO3, BaCO3, Al2O3 and TiO2 as raw materials by high temperature solid phase reaction.
以cs2CO3、BaCO3、Al2O3和TiO2为原料,通过高温固相反应,合成了单相的固溶Cs的碱硬锰矿固溶体。
6) C/S
CS
参考词条
Pt/CS
Cs（ATZ）
CS Chem3D
Cs轴
CS-H
AYbI_3（A=Cs
CS膜
CS-ACELP
CENTUM-CS
CS-solitons
~（134）Cs
￣（137）Cs
（137）~Cs
CS域
CENTUM CS
平均结霜除霜损失系数
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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