1) high D-value
高D值
2) d/D rate
d/D值
1.
Based on the RTD (Residence Time Distribution) experiment and in-tandem model, this paper mainly discussed how the d/D rate and the rotating velocity of fluid director (n) influenced the flow pattern of SUFR.
介绍了螺旋升流反应器流态试验的思路及原理;并通过寿命停留时间分布(RTD)试验及多段串联模型,探索d/D值及导流转速(n)对螺旋升流反应器的流态的影响规律;由正交回归试验得到:当d/D=0。
3) D-value
D值
1.
By this method, the D-values of three foodborne pathergens, Escherichia coli , Salmonella paratyphi B at the temperature of 50 ,55,60 ℃ and Staphylococcus aureus ranges from 55～65 ℃ in water bath and microwave heating were determined.
利用此方法,分别测定了三种食源性致病菌,大肠杆菌(Escherichia coli)、乙型副伤寒沙门菌(Salmonella paratyphi B)在50,55,60℃水浴和微波加热杀菌的D值,以及金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureus)在55,60,65℃水浴和微波加热杀菌的D值。
2.
We use D-value method to fast determine the efficacy.
本文研究了绿茶和桑叶提取物在不同浓度时对细菌的抑制作用,采用D值计算法快速评价了它们的抑菌效果。
3.
By comparing the D-value of both microorganisms,it is found that Escherichia coli are killed more easily than staphylococcus aurous.
通过对灭菌D值的比较发现大肠杆菌(革兰氏阴性菌)较之金黄色葡萄球菌(革兰氏阳性菌)易于灭杀。
4) D value
D值
1.
s:Sterilization F value,D value,Z value of canned food are expound by giving some typical examples with the concept conversion coefficient of sterilization time.
针对该内容出现的新知识点多、不易理解和难于应用的实际情况,提出了杀菌时间折算系数等新的理解概念,首次对应设计了一些关键例题,对实际杀菌F值、安全杀菌F值的理解和计算进行了新的论述,对D值、Z值的理解和应用进行了具体实用的阐释,旨在为相关人员进一步掌握杀菌理论提供参考。
2.
casei BD-Ⅱhad decimal reduction times(D values) in reconstituted skim milk of 36.
菌株细胞在灭菌脱脂乳中70,72,75℃时的D值分别为36。
3.
Then using the theoris means to determine respectively D value.
在现有的岩石爆破损伤模型和岩石细观损伤力学的基础上,初步尝试结合岩石强度有侧重点地探讨岩石在爆炸应力波和爆生气体作用下损伤断裂的基本理论,分别以理论手段确定D值,同时引入D值推导出考虑损伤的光爆参数设计理论公式。
5) R/D Value
R/D值
6) d table method
d值表法
补充资料：高阈值逻辑电路
由二极管-晶体管逻辑电路 (DTL)和改进型二极管-晶体管逻辑电路(M－DTL)改进而来的一种高阈值双极型中、低速数字集成电路，简称HTL电路。HTL电路具有很好的抗干扰性能。图中表示从DTL电路到HTL电路的改进过程。
HTL电路的主要特点，是用齐纳二极管(D2)代替DTL、M-DTL电路中原来的电平位移二极管(Df)并将D2反接。齐纳二极管的制造工艺与常规双极型集成电路制备工艺相同，所以齐纳二极管可在双极型集成电路制造过程中形成。通常，利用晶体管基极与集电极短路的eb结，即发射区和基区间的 P+N+结制成。齐纳二极管的反向击穿电压一般约为6.7伏，要使其通导，必须有约6.7伏的电压降。因此,它使HTL电路的阈值电压提高到约为6.7+0.7=7.4伏,比一般DTL电路的阈值电压约高6伏。正是利用齐纳二极管的反向特性，使电路的输入低电平的噪声容限，从原来的1伏提高到约6伏;而输入高电平的级声容限,取决于电源电压的高低。如采用12伏电源,只能获得约3伏的输入高电平的噪声容限。因此，输入高、低电平的抗噪声能力是不对称的。为了获得对称的输入高、低电平的抗噪声能力，一般采用15伏电源，从而使电路的输入高、低电平的噪声容限均达到6伏左右,可显著提高电路的抗干扰能力。HTL电路适用于对速度要求不高,而对抗干扰能力要求很高的电子系统，如数控机床、工业控制机、循回检测装置、数字化仪表等电子设备。它能使这些设备在恶劣的干扰环境中正常工作而又不必采取过多的附加措施。
为了限制 HTL电路的功耗随电源电压的提高而增大，常采用高阻值电阻进行限流。高阻值的电阻在版图设计中占用较大的面积，从而限制了集成度的进一步提高。因此，HTL电路只适用于中、小规模集成电路。
HTL电路的主要特点，是用齐纳二极管(D2)代替DTL、M-DTL电路中原来的电平位移二极管(Df)并将D2反接。齐纳二极管的制造工艺与常规双极型集成电路制备工艺相同，所以齐纳二极管可在双极型集成电路制造过程中形成。通常，利用晶体管基极与集电极短路的eb结，即发射区和基区间的 P+N+结制成。齐纳二极管的反向击穿电压一般约为6.7伏，要使其通导，必须有约6.7伏的电压降。因此,它使HTL电路的阈值电压提高到约为6.7+0.7=7.4伏,比一般DTL电路的阈值电压约高6伏。正是利用齐纳二极管的反向特性，使电路的输入低电平的噪声容限，从原来的1伏提高到约6伏;而输入高电平的级声容限,取决于电源电压的高低。如采用12伏电源,只能获得约3伏的输入高电平的噪声容限。因此，输入高、低电平的抗噪声能力是不对称的。为了获得对称的输入高、低电平的抗噪声能力，一般采用15伏电源，从而使电路的输入高、低电平的噪声容限均达到6伏左右,可显著提高电路的抗干扰能力。HTL电路适用于对速度要求不高,而对抗干扰能力要求很高的电子系统，如数控机床、工业控制机、循回检测装置、数字化仪表等电子设备。它能使这些设备在恶劣的干扰环境中正常工作而又不必采取过多的附加措施。
为了限制 HTL电路的功耗随电源电压的提高而增大，常采用高阻值电阻进行限流。高阻值的电阻在版图设计中占用较大的面积，从而限制了集成度的进一步提高。因此，HTL电路只适用于中、小规模集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条