1) semiconductor opto-electronics materials and devices
半导体光电子材料和器件
2) photovoitaic semiconductors
光电半导体材料
3) semiconductor optoelectronic device
半导体光电子器件
4) photo-electronic crystal materials and apparatus
光电子晶体材料与器件
1.
In this paper, the superiorities and inferiorities of research and development on the photo-electronic crystal materials and apparatus in our country have been pointed out, respectively.
光电子晶体材料与器件在科技、军事、先进制造等领域发挥日益重要的作用。
5) semiconductor optoelectronic devices
半导体光电器件
6) Heterojunction semiconducting materials and devices
异质结半导体材料和器件
补充资料：光记录和存储用半导体激光材料
光记录和存储用半导体激光材料
semiconductor laser materials for optical recording and storage
光记录和存储用半导体激光材料semiconduc-tor laser materials for oPtieal reeordiflg and storage用于制作光盘写入与读出的激光二极管的半导体材料。各种光盘常用激光二极管的发射波长和主要性能见表1。实用的激射0.78#m、0.82召m波长的光记录和存储用半导体激光材料有AIGaAs/GaAs，InGaAsP/InGaP/GaAs。 组成和性能AIGaAs、 InGaAsP、InGaP、GaAs同属111一V族化合物半导体。AIGaAs、InGaP是由AIAs、GaAs和InP、GaP二元化合物按一定比例组成的三元系化合物。InGaAsP是由InP、GaAs和GaP或InAs组成的四元系化合物。这些材料的晶体均为立方晶系闪锌矿结构，重要晶面有(1 00)、(l 10)和(111)，其中(110)为自然解理面。表1光盘用半导体激光二极管性能┌──────┬─────┬────┬────┬───┐│俞鹦 │视频光盘 │声频光盘│数据光盘│打印 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│波长(召m) │0 .78 │0 .78 │0 .82 │0 .78 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│输出功率 │5 │5 │20一30 │5 ││ (mw) │ │ │ │ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│方向性(比率)│2一3 │2一3 │2一3 │2一3 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│象散(一，m) │<10 │<10 │<3 │<2 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│相对强度噪声│<5X10一14 │<10一11 │<10一11 │ ││ │ │一10一12│一10一”│ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│寿命(小时) │>2X104 │)2X104 │)2火104 │>2X104│└──────┴─────┴────┴────┴───┘ AlxGal一xAs(x(0 .45)，InGaP，Inl一x GaxAs，-Pl一y、GaAs晶体能带均为竖直跃迁结构，具有很高的发光效率。其发光波长取决于他们的禁带宽度。
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参考词条