1) Mott transition
Mott转变
2) Mott transition nanotransistor
Mott转变纳米晶体管
3) Mott transition
Mott相变
1.
Infrared absorption of VO_2 based Mott transition field effect transistor dependent on optical phonon in α-SiN:H films;
α-SiN:H薄膜的光学声子与VO_2基Mott相变场效应晶体管的红外吸收特性
4) Mott variable
Mott变程跳跃
1.
I-V curves and the temperature dependence of the resistance are in accordance with Mott variable range hopping above 13 K and Efros-Shklovskii variable range hopping bellow 13 K.
在多功能物性测量仪(PPMS)上测量了单根碳纤维的电阻-温度关系,低温I-V曲线,结果发现在300～13K温区满足三维Mott变程跳跃模型,而在13K以下则符合Efros-Shklovskii变程跳跃模型。
5) Superfluid-Mott-insulator (SMI) phase transition
Superfluid-Mott绝缘相变
6) Superfluity-Mott insulator (SF-MI) transition
超流-Mott绝缘相变
补充资料：Mott-Schottky equation
分子式：
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条