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1)  optical trap (optical tweezers)
光学囚禁(光学镊子/光钳)
2)  laser trapping
激光囚禁
3)  laser trapping of atoms
激光囚禁原子
4)  the photon-confinement
光子囚禁效应
5)  pyramidal hollow beam gravito optical trap
倒金字塔型中空光束重力光学囚禁
6)  photonics band gap
光学禁带
补充资料:磁光学


磁光学
Magnetooptics

作类似的观测更为困难,这是由于这种效应很小,因而直到1898年才取得成功。在佛克脱发现这个效应以后,便把横向磁光双折射称为佛克脱效应. 佛克脱效应(也称磁致双折射)对于具有正常塞曼效应的物质是容易计算的。对于具有较复杂的塞曼效应的物质,其结果也能用理论预言,尽管它与较简单的情况比较没有本质上的不同,却很少能作出简单的定量描述。 佛克脱效应取决于这样的事实:在吸收谱线呈现塞曼效应的磁场中,垂直和平行于磁力线的偏振光的折射率分别为n,和n,,且彼此不同。因为中心分量不变,所以。,的值与磁场无关,而,,一粤(,+,碑一·~”‘’~’一尸”礴~J~~2.2、7””’。2+,一)。在图中作了相应标记的曲线,给出了,,一n,。横向磁致双折射的观测结果与(n:一n户)有关。┌─────┬──┬─┐│、挤,。} │公勿│{ │├─────┼──┼─┘│{/叮 │}尸 │ └─────┴──┘ 在塞曼三重线附近,偏振方向平行于和垂直于磁场 的光的折射率n,和n,。佛克脱效应与 (n,一np)成正比 表示双折射的理论公式虽然容易导出,但十分复杂。当波长与塞曼三重线相距相当远时,相位差 2汀艾,O---了一灭n,一n,) 八r e4介32井之c3n。(。一。。)3NH(l)其中,。是吸收谱线的频率,,是透射光的频率,亡是电子电荷,x是光通过物质的路程长度,:是光速,n0是没有磁场时的折射率,N是单位体积内的吸收原子数,H是磁场强度,f是所谓的振子强度,它是吸收强度的量度。 与法拉第效应的情况相反,磁致双折射的一级效应是抵消的,因为存在两个垂直的对称配置的塞曼分量,它们的合成强度等于平行分量的强度。由于磁光学(magnetooptics) 磁光学是研究在磁场作用下引起的光学现象的一个物理学分支学科。考虑到光是一种电磁辐射,似乎光与磁场之间的相互作用是很可能的。然而,已知的磁光效应不是由于磁场与光直接相互作用的结果,而是由于磁场对正在吸收或发射光的物质的影响所造成的。 塞受效应塞曼效应指的是把发光光源放人磁场时所产生的谱线分裂。倒塞曼效应指的是把吸收光的物质放人磁场时,吸收谱线的类似分裂。由非常接近的能级所产生的谱线的塞曼效应称为帕邢一巴克效应。大多数的其他磁光现象的解释都是以塞曼效应为基础,因此塞曼效应可以认为是基本的磁光效应。参阅“帕邢一巴克效应”(paschen一Backeffeet)、“塞受效应”(Zeeman effeet)条。
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参考词条