1) quantum confinement Stark effect
量子限制Stark效应
1.
It was observed that the occupation in the first-excited electron state can result in a suppression to quantum confinement Stark effect.
在特殊设计的三势垒双势阱结构中 ,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态 ,发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark效应的作用 。
2) quantum confinement Stack effect
量子限制Stark效应(QCSE)
3) quantum confined Stark effect
量子Stark效应
4) quantum confinement effect
量子限制效应
1.
We report recent experimental evidence for the quantum confinement effect in 3C-SiC nanoparticles.
报道了关于3C-SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据。
2.
The preparation and the quantum confinement effects of amorphous St3N4 nanoparticles are reported in this paper.
本文报道了非晶氨化硅纳米粒子的制备及量子限制效应。
3.
For silicon nanostructures,the traditional Tauc method that succeeded in amorphous material is not applicable since the optical absorption of silicon nanostructures would be affected not only by the quantum confinement effect of nanoparticals in the films but also by their concomitant microstructural disorder.
采用量子限制效应模型对镶嵌有纳米非晶硅粒子的氢化氮化硅薄膜的光吸收进行了理论模拟,探讨了由吸收谱分析给出该结构薄膜光学参数的方法,并通过对不同氮含量样品的讨论给出了量子限制效应和纳米硅粒子表面的结构无序对薄膜光吸收特性的影响规律。
5) quantum confinement
量子限制效应
1.
Effect of quantum confinement on acceptor state lifetime in Be δ doped GaAs/AlAs multiple quantum wells
量子限制效应对δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主态寿命的影响
2.
The results show that ion implantation makes free Si in the material change to SiNn(n=l, 2), and nano-Si3N4 possesses a quantum confinement effect, and its photoluminescence peak position and intensity are unstable.
荧光谱研究表明纳米Ｓｉ３Ｎ４具有明显的量子限制效应，并且荧光峰的位置和强度存在不稳定性。
6) quantum confinement effects
量子限制效应
1.
Then,we got quantum confinement effects of the lowest conduction band states in semiconductor quantum dots of four-teen semiconductor.
采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。
补充资料：量子限制效应（quantumconfinementeffect）
量子限制效应（quantumconfinementeffect）
微结构材料三维尺度中至少有一个维度与电子德布罗意（deBroglie）波长相当，因此电子在此维度中的运动受到限制，电子态呈量子化分布，连续的能带将分解为离散的能级，当能级间距大于某些特征能量（如热运动量KB；塞曼能hω，超导能隙Δ等）时，系统将表现出和大块样品不同的甚至是特有的性质，例如超晶格中由于能级离散引起的带隙展宽及吸收边的蓝移。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条