2) inner-shell ionization cross-section
内壳层电离截面
1.
The sensitivity of the correction factor,which describes the combined effect of finite film thickness and the thick substrate in the measurement of atomic inner-shell ionization cross-sections by low-energy electron impact,to the adopted ionization cross-sections in the Monte Carlo simulation is discussed.
在Monte Carlo方法模拟keV电子碰撞薄膜/厚衬底靶过程中,输入材料数据中采用的内壳层电离截面数据不同,得到的反映膜厚及衬底对电离截面测量结果影响的修正因子值也有差别。
2.
The study of atomic inner-shell ionization cross-sections by low-energy electron impact is significant in both theoretical researches and practical applications.
低能电子碰撞原子内壳层电离截面测量的研究在理论和实际应用方面都具有重要意义。
3) Inner-shell ionization cross sections
内壳电离截面
4) K-shell ionization cross-section
K壳层电离截面
1.
In this paper, we give a description of recent progress on the measurements of electron-impact K-shell ionization cross-sections of atoms in the keV energy range.
首先评述了近年来该领域的一些研究进展,并通过测量Cr元素在小于26keV能量范围K壳层电离截面的例子介绍了研究组的实验方法。
5) L-shell ionization cross section
L壳层总平均电离截面
补充资料：原子壳层结构
| 原子壳层结构 atomic shell structure 关于原子内电子排布的一种简化模型。 原子内带正电的密实部分集中于一个很小的核，带负电的电子分布于核外，中性原子的核外电子数等于原子序数Z。Z个电子在核外如何分布是物理学和化学感兴趣的问题。按照量子力学，原子内的电子可处于各种可能的定态，电子的运动状态由n、l、ml、ms4个量子数描述。这4个量子数的取值规则是主量子数取正整数1、2、3、4、5…；对于每个n，角量子数l可取0、1、2、…n－1，共n个值；对于每个l，磁量子数m可取－l、－l＋1、…、l，共2l＋1个值，自旋磁量子数ms取,或-。具有相同主量子数n的电子构成一个壳层，相同n按不同l又分为若干个支壳层，对应于l＝0、1、2、…的支壳层分别用s、p、d、t表示。原子核外电子的排布遵从两条规律：①泡利不相容原理。原子内不可能有两个或两个以上的电子具有完全相同的四个量子数。由此可确定原子内每个支壳层可容纳的电子数为2l＋1个，每个壳层可容纳的电子数为2n2个，对于第1、2、3、4等壳层可容纳的电子数分别为2、8、18、32、50。②能量最低原理。电子尽可能先填充能量较低的状态，各状态能量高低的顺序可由经验规律 n＋0.7l值的大小加以判断。由此可以确定随着原子序数增大，核外电子填充支壳层的顺序是： 1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p7s5f…电子的壳层排布与元素周期表一致，很好地说明元素的物理、化学性质周期性根源是原子内电子的壳层排布。 |
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参考词条