1) barrier distribution
势垒分布
1.
Quasi-elastic cross sections have been measured for 32S+90,96Zr with high accuracy near the Coulomb barrier at backward angles and the barrier distributions are extracted from them.
精确测量了32S+90,96Zr两系统的背角准弹散射激发函数,总体误差小于1％,从中分别抽取了它们的势垒分布,对比观测到32S+96Zr的势垒结构扁平且向低能区展宽,这种势垒可导致在垒下能区该体系的熔合截面的大大增强。
2.
Neutron transfer channels of which transfer Q values are positive make the barrier distribution flat and almost structureless and extend to very low energies.
转移道的耦合,特别是转移Q值为正的中子转移道的耦合使得熔合势垒分布变得扁平且向低能展宽,这会导致垒下熔合截面大大增强。
2) fractal potentail barrier
分形势垒
3) Molecular reaction potential barrier
分子反应势垒
4) energy-barriers of molecular dissociation
分子解离势垒
5) potential barrier
势垒，位垒
6) potential barrier
势垒
1.
Effect of ionic vacancies on potential barrier at grain boundaries in BaTiO_3.;
钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响
2.
How to analyze particle wavefunction of tunneling rectangular potential barrier——On an alteration in the new printing of Atomic Physics by Professor Chu Shenglin;
如何分析隧穿直角势垒的粒子波函数——评褚圣麟先生《原子物理学》在新印本中的一个变动
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条