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1)  double slit diffraction experiment
双缝衍射实验
2)  Slit Diffraction Experiment
单缝衍射实验
3)  Double-slit diffraction
双缝衍射
1.
A Study on Fraunhofer Double-Slit Diffraction by Applying Simulation Technology;
运用仿真技术讨论夫琅和费双缝衍射现象
2.
Based on Kirchhoffs theory,the approximate intensity formulas of double-slit diffraction of Gaussian Beam is derived under paraxial approximation with power series expansion methods.
依据基尔霍夫衍射理论,利用幂级数展开的方法推导出旁轴条件下高斯光束双缝衍射的近似光强计算公式,并通过数值计算对双缝衍射的基本特性进行了讨论,得出了与其他文献一致的结论,得出了高斯光束下的双缝衍射极小值点比平行光束双缝衍射的极小值点向外移,观察屏中心光能变小;光强分布可由激光斑在衍射屏处的参数调制的结论。
4)  double slit diffraction
双缝衍射
1.
Study on the experiment of double slit diffraction;
双缝衍射现象的实验研究
2.
This article measured and analysed the weak spectra s relative light intensity of double slit diffraction,com- pared with theoretical value calculated by computer.
本文分析和测量了双缝衍射缺级处附近两个弱峰的相对光强,并与计算机数值计算得到的理论值对比表明:理论描述与实验情景是相符合的。
5)  diffraction experiment
衍射实验
6)  experiment of double slits
双缝实验
补充资料:X射线双晶衍射


X射线双晶衍射
X--ray double一erystal diffrae-tiofl

  进行的,所记录的衍射曲线叫作摇摆曲线。摇摆曲线的半高宽(FWHM)是和晶体的完整性密切相关的。晶体的完整性越高,半高宽就越小,反之则越大,这就是测量晶体完整性的依据。对于高完整性晶体硅(Si),其(333)衍射的半高宽只有2’’左右(对于CuKa辐射),对于砷化稼(GaAs)的(400)衍射有10,,左右,对于完整性较差的晶体,如蓝宝石可达40,,以上。而对于镶嵌晶体,如氟化钙还要大。 X射线双晶衍射的理论计算主要有运动学理论和动力学理论。运动学理论是经典理论,以布喇格的衍射理论为基础,其计算简单,物理图象清楚,仍普遍采用。它可以根据布喇格方程方便地计算出异质外延的晶格失配和组分,以及超晶格的结构参数。 动力学理论是以高木(S atio tagagi)方程为基础,在双光束近似的情况下,把X射线在晶体中的波场用布洛赫函数表示,从而导出一个向量偏微分方程。目前这个方程只有近似解,经计算模拟可以解出所需要的各种参数,它的计算比较繁琐,物理图象也不如运动学理论清楚。但是更易接近实验曲线,适用范围更宽。 (王玉田)X射线双晶衍射x--ray doubxe一erystal diffrae-tion利用单色化、平行化的X射线对晶体进行结构分析的一种高精度测量方法。 目前X射线源有两种:高压电子束激发的X射线源和同步辐射X射线源。二者均为多色光,其波长比紫外线还要短,且不带电,因而不可能利用一般的光学透镜或电磁透镜的聚焦方法改变光路,或以透镜滤光方法实现其单色化。 根据晶体对X射线衍射的布喇格方程 Zdh、,sins=刀凡式中流kl为晶体晶面(h寿l)的间距。夕为衍射角,刀为自然数,几为X射线波长。对于一个晶体,在一个特定的衍射角夕,将会出现一个特定波长几的X射线束。如果我们对此束X射线配置适当的狭缝,就会实现X射线的单色化和平行化。以此射线入射到待测晶体上,就构成了一个双晶衍射系统。根据不同的光源和需要,可以设计出各种各样的双晶衍射系统,还可以设计出三晶、四晶、五晶等系统。经过单色化的X射线并不是完全单色的,不仅X射线的特征辐射本身存在一个本征宽度,而且还会有刀儿的谐波存在(强度很弱)。 特点20世纪20年代X射线双晶衍射业已问世,但由于当时的晶体完整性较差,不可能获得高单色性、高平行度的X射线,也由于当时的科学技术水平限制,不可能进行高精度测量。50年代,高完整性的半导体单晶体出现以后,随着新型半导体器件发展的需要,X射线双晶衍射技术和理论有了新的发展,成为半导体材料和器件研究的重要测试方法。
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