1) itinerant-electron metamagnetism
巡游电子变磁性
2) itinerant-electron metamagnetic transition
巡游电子变磁转变
1.
Magnetic properties, magnetocaloric effect, itinerant-electron metamagnetic transition (IEMT) properties of compounds La_(1_x)Pr_xFe_(13-y)Si_y were investigated systematically by substituting other atoms for the rare earth and Fe sites.
本文通过稀土位替代和铁位的替代系统地研究了La_(1-x)Pr_xFe_(13-y)Si_y化合物的磁性、磁热效应和巡游电子变磁转变特性。
3) itinerant electron
巡游电子
4) itinerant ferromagnetism
巡游铁磁性
5) Itinerant ferromagnet
巡游铁磁体
6) itinerant carrier
巡游载流子
1.
It is argued that the itinerant carrier-negative U center localized carrier interacting mechanism acts as an approximate description of the high Tc oxide superconductors.
应用巡游载流子与负U中心局域化载流子混杂相互作用的高T_c氧化物超导体理论模型,对Bi系超导体2212相和2223相的主要特征量——超导转变温度、穿透深度、相干长度、热力学临界场和T_c处比热跳跃进行了数值计算,并将计算结果与实验值比较。
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条