Ekman输运,Ekman transport,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) Ekman transport 点击朗读

Ekman输运

In order to discover the interannual variability mechanism of sea ice in the Antarctica, based on the NSIDC sea ice data and NDEP wind data, the international variation of the sea ice concentration and its relation to the Ekman transport driven by the westerlies in 5 areas, where the interannual variations of the sea ice concentration are larger, was analyzed.

研究表明:南半球冬季在这5个海区海冰密集度年际变化与南侧西风的年际变化有较密切的关系,南半球冬季南极海冰边缘区南侧西风形成向北的Ekman输运对海冰边缘区的海冰密集度有重要的影响,这种影响在南太平洋和南大西洋比在南印度洋东部更明显。

Along the coast, cross-shelf Ekman transport is responsible for both upwelling and downwelling, among which there are the upwelling off the coasts of Guangdong, Hainan of China, and Vietnam in summer and the downwelling along the western boundary in winter along the eastern boundary in summer and fall.

如,横越陆架的Ekman输运形成的升降流,它们有粤东沿岸上升流、海南岛东部沿岸上升流、越南东部沿岸上升流和冬季沿西边界的下降流、夏秋季沿东边界的下降流等;Ekman泵吸作用形成的上升流,有吕宋岛西北部上升流和越南东部上升流等;地形作用形成的上升流,其中有因地形变浅引发的上升流,绕岛涡旋引发的升降流,涡度守恒弓J发的升降流和岬角地形引发的升降流;以及海盆尺度环流引起的升降流和过渡季节因动力调整过程而引发的各种中尺度涡产生的升降流等。

2) Ekman Pumping 点击朗读

Ekman泵

Characteristics of Ekman Vertical Velocity of the Atmospheric Boundary Layer Calculated with a New Ekman Pumping Formula;

一个新的Ekman泵公式在大气边界层Ekman垂直速度计算中的应用

3) Ekman layer 点击朗读

Ekman层

This thesis is concerned with the wave influences on the wind energy input to the Ekman layer, by incorporating the wave-induced Coriolis-Stokes forcing into the classical Ekman model.

基于海洋Ekman层流速剖面结构受波浪影响的三点观测事实,研究了波浪对Ekman层的机械能输入,在常涡粘系数的假定下得到了波浪对Ekman层能量输入的解析表达式。

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4) Ekman flow 点击朗读

Ekman流

The classical Ekman flow is the equilibrium motions in the boundary layer under the conditions of the incompressible and the minum energy The dynamics of the equilibrium wind under the Ekman momentum approximation in the boundary layer is discussed.

本文首先利用变分方法,考察了边界层运动能量的变化,指出经典Ekman流是在不可压缩条件下,能量积分达最小值时的一种平衡运动。

5) Ekman drift 点击朗读

Ekman漂流

6) Ekman model 点击朗读

Ekman模型

补充资料：半导体的导电与电荷输运

半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。

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参考词条

斜压Ekman流 Ekman平衡流 Ekman效应运输输运

Ekman抽吸 Ekman平流 Ekman边界层 Ekman特征

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	您的位置：首页 -> 词典 -> Ekman输运 1) Ekman transport Ekman输运 1. In order to discover the interannual variability mechanism of sea ice in the Antarctica, based on the NSIDC sea ice data and NDEP wind data, the international variation of the sea ice concentration and its relation to the Ekman transport driven by the westerlies in 5 areas, where the interannual variations of the sea ice concentration are larger, was analyzed. 研究表明:南半球冬季在这5个海区海冰密集度年际变化与南侧西风的年际变化有较密切的关系,南半球冬季南极海冰边缘区南侧西风形成向北的Ekman输运对海冰边缘区的海冰密集度有重要的影响,这种影响在南太平洋和南大西洋比在南印度洋东部更明显。 2. Along the coast, cross-shelf Ekman transport is responsible for both upwelling and downwelling, among which there are the upwelling off the coasts of Guangdong, Hainan of China, and Vietnam in summer and the downwelling along the western boundary in winter along the eastern boundary in summer and fall. 如,横越陆架的Ekman输运形成的升降流,它们有粤东沿岸上升流、海南岛东部沿岸上升流、越南东部沿岸上升流和冬季沿西边界的下降流、夏秋季沿东边界的下降流等;Ekman泵吸作用形成的上升流,有吕宋岛西北部上升流和越南东部上升流等;地形作用形成的上升流,其中有因地形变浅引发的上升流,绕岛涡旋引发的升降流,涡度守恒弓J发的升降流和岬角地形引发的升降流;以及海盆尺度环流引起的升降流和过渡季节因动力调整过程而引发的各种中尺度涡产生的升降流等。 2) Ekman Pumping Ekman泵 1. Characteristics of Ekman Vertical Velocity of the Atmospheric Boundary Layer Calculated with a New Ekman Pumping Formula; 一个新的Ekman泵公式在大气边界层Ekman垂直速度计算中的应用 3) Ekman layer Ekman层 1. This thesis is concerned with the wave influences on the wind energy input to the Ekman layer, by incorporating the wave-induced Coriolis-Stokes forcing into the classical Ekman model. 基于海洋Ekman层流速剖面结构受波浪影响的三点观测事实,研究了波浪对Ekman层的机械能输入,在常涡粘系数的假定下得到了波浪对Ekman层能量输入的解析表达式。更多例句>> 4) Ekman flow Ekman流 1. The classical Ekman flow is the equilibrium motions in the boundary layer under the conditions of the incompressible and the minum energy The dynamics of the equilibrium wind under the Ekman momentum approximation in the boundary layer is discussed. 本文首先利用变分方法,考察了边界层运动能量的变化,指出经典Ekman流是在不可压缩条件下,能量积分达最小值时的一种平衡运动。 5) Ekman drift Ekman漂流 6) Ekman model Ekman模型补充资料：半导体的导电与电荷输运半导体的导电与电荷输运 conductance and charge transport in semiconductor 　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条斜压Ekman流 Ekman平衡流 Ekman效应运输输运

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