1) Capacitance effect of APD
雪崩光电二极管电容效应
2) APD
雪崩光电二极管
1.
Implementation of Compensation for Bias Voltage of Thermo-drift for APDs by Using AC1056;
用AC1056实现对雪崩光电二极管温漂的偏压补偿
2.
In order to implement dynamic bias voltage compensation for the thermal drift of APD gain,high precision A/D and D/A circuits are designed.
为实现对雪崩光电二极管(APD)增益温漂的动态偏压补偿,设计了高精度的ADC和DAC电路系统,对APD可以达到毫伏级的偏压控制精度和0。
3.
This paper discusses a new kind of detecting system for bioluminescence which based on APD.
本文介绍了一种基于雪崩光电二极管的生物发光检测仪器新方案,并与传统的微光测量方案和器件进行了比较。
3) avalanche photodiode(APD)
雪崩光电二极管
1.
In order to ensure the optimum operating of the avalanche photodiode(APD) in the laser gyro under different temperature conditions,an effect of the temperature on the avalanche gain is analyzed based on the principle of APD multiplication.
为保证激光陀螺中雪崩光电二极管(APD)在温度变化的情况下始终处于最佳工作状态,从APD的倍增机理出发,分析了温度对雪崩增益的影响,建立了虚警率与APD倍增因子的数学模型,并采用监测雪崩噪声平均过阈率的方法,得到器件的实际击穿电压温度系数γ=6。
2.
The edge pre-breakdown of planar-type avalanche photodiode(APD) is resulted from the intense electric field at the junction bend.
平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿。
3.
According to the requirements and the characteristics of the single-photon detect System,a water-cooling system based on thermoelectricity cooling accompanied by a temperature control instrument was developed to reduce the temperature of the detector avalanche photodiode(APD).
根据单光子探测系统的要求及其特点,采用半导体制冷技术,研制出了用于单光子探测的雪崩光电二极管(APD)的水循环散热制冷腔。
4) avalanche photodiode
雪崩光电二极管
1.
Study on application of avalanche photodiode in phase laser distance measurement;
雪崩光电二极管在相位式激光测距仪中的应用
2.
Status of HgCdTe avalanche photodiode arrays
碲镉汞雪崩光电二极管发展现状
3.
An InGaAs/InAlAs avalanche photodiode(APD) with the back illumination is designed and simulated by the MEDICI software.
设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。
5) avalanche photodiodes
雪崩光电二极管
1.
A measurement system is set up which could measure static optoelectronic characteristics of avalanche photodiodes (APDs).
利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。
2.
The development of GaN-based avalanche photodiodes was reviewed in this letter.
文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。
3.
Based on the characteristic of PIN avalanche photodiodes and carrier rate equations,a mathematic model is presented.
针对PIN雪崩光电二极管结构的特殊性,以载流子速率方程为基础,进行适当的假设和拟合,将光、电子量和转化过程完全用数学模型表示,并在Matlab中进行了模拟计算,其结果与实验数据符合较好。
6) avalanche photodiode
雪崩光电二极管<光>
补充资料：雪崩
| 雪崩 avalanche 积雪顺沟槽或山坡向下滑动，引起雪体崩塌的现象。具有发生突然、速度快和崩塌量大的特点，对人类危害很大。
雪崩的形成与积雪厚度、山坡和沟槽的坡度，以及积雪物理力学性质有关。按发生过程分为发生区、运动区和堆积区。一些雪崩发生于暴风雪和大量降雪期间，多数雪崩发生于降雪之后。它多分布于降雪丰富和稳定积雪期较长的中、高山地区。如北纬30°以北沿太平洋两岸山区、阿尔卑斯山区和青藏高原东南部山区。中国雪崩大致沿青藏高原边缘及其邻近地区分布，其中以川西、滇北、西藏东南的雪崩最为严重，是世界雪崩重灾区之一。 20世纪70年代，瑞士联邦雪和雪崩研究所按雪的性质分为雪板雪崩和松雪雪崩；按雪的运动特征分为腾空雪崩、地面雪崩和混合雪崩；按雪的含水量分为干雪雪崩、湿雪雪崩和雪流；按滑动面位置分为层内雪崩和全层雪崩。这种分类实用性强，尤对雪崩预报、救护等工作较为适用。在中国，按雪崩发生的时间分为季节性雪崩和长年雪崩两类；在工程设计上，则依雪的含水量分为干雪型雪崩和湿雪型雪崩两类。 |
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参考词条