1) Lee wave effect
背风波效应
2) lee wave
背风波
3) backside effect
背面效应
1.
This paper presents an important characteristic for the bistatic radar clutter spectrum,which is named backside effect.
本文发现了双基地杂波谱的一个重要特征———背面效应(Backside effect)。
4) back-gate effect
背栅效应
1.
Thesimulator, considering the special structure of SOI devices, studies the influencesof recombination-generation rate on parameters of internal devices and analyzesthe back-gate effect and the principle of Kink effect of Ⅰ-Ⅴ characteristics.
这个模型从SOI器件的特殊结构出发,着重考虑了复合-产出率对器件内部参数的影响,分析了SOI-MOSFET器件的背栅效应以及I-V特性的扭曲(Kink)效应产生的机理。
2.
The back-gate effects on front-channel subthreshold characteristics,on-r esistance,and off-state breakdown characteristics of these devices are studied in detail.
相比于源体紧密接触结构,低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小,这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启。
5) Back-Pushing Effect
推背效应
6) back and face effect
正背效应
补充资料：背风
风不能直接吹到：找个～的地方休息一下。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条