1) auger width
俄歇宽度
2) AES
俄歇
1.
Application of Factor Analysis to AES Studiesof Uranium Oxidation by CO and O_2;
因子分析技术在铀与CO,O_2反应俄歇分析中的运用
3) AES depth profile
俄歇能谱深度分布
1.
Effect of rapid thermal annealing on Ti/Al-GaN contacts is investigated by I-V measurements and AES depth profile.
利用伏安特性和俄歇能谱深度分布研究了快速热退火对 Ti/ Al- Ga N接触的影响 ,氮气中 6 0 0℃退火 6 0 s可以获得欧姆接触 。
4) Auger phenomenon
俄歇现象
5) Auger lineshape
俄歇线形
1.
In order to measure the local density of states on each depth profile of the GaAs/Si interface by AES, the Auger lineshape is carefully processed and the Auger lineshape analysis is performed with the help of factor analysis.
采集GaAs／Si界面的各个深度剖面的俄歇线形（Augerlineshape），试图获得局域态密度变化的信息。
6) Auger peaks of cerium
铈俄歇峰
补充资料：俄歇产额
分子式：
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条