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1)  Nanometer integrated circuit
纳米集成电路
2)  nanometer CMOS IC
纳米CMOS集成电路
1.
The current situation and development of nanometer CMOS IC semiconductor manufacturing engineering in Japan,USA and other countries were investigated,and an analysis of the strategy,current technology situation of semiconductor manufacturing in these countries were made.
论述了日美等国纳米CMOS集成电路半导体制造工艺的现状和发展趋势,分析说明国外半导体制造技术的战略和发展状况;结合90 nm CMOS工艺设计的超大规模SOC芯片的实践,对纳米CMOS集成电路设计技术进行分析;阐述SOC设计面临的技术难题,并对今后的发展趋势进行了预测。
3)  nanometer-grade IC
纳米级集成电路
4)  nano photoconductive integrated circuit
纳米光导集成电路
5)  nano-integrated optical circuit
纳米集成光路
1.
The light source, optical waveguide and light enhancement of nano-integrated optical circuit;
纳米集成光路中的光源、光波导和光增强
6)  nanowatt IC; nanowatt integrated circuit
纳瓦集成电路
补充资料:BiCMOS集成电路

[英文]:BiCMOS integrated circuit
[解释]:
    由双极型门电路和互补金属-氧化物-半导体(CMOS)门电路构成的集成电路。特点是将双极(Bipolar)工艺和CMOS工艺兼容,在同一芯片上以一定的电路形式将双极型电路和CMOS电路集成在一起 ,兼有高密度   、低功耗和高速大驱动能力等特点 。高性能BiCMOS电路于20世纪80年代初提出并实现,主要应用在高速静态存储器、高速门阵列以及其他高速数字电路中,还可以制造出性能优良的模/数混合电路,用于系统集成。有人预言,BiCMOS集成电路是继CMOS集成电路形式之后最现实的下一代高速集成电路形式。
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