2) nonlinear fiber gratings
非线性光纤光栅
1.
The related research results have showed that, optical bistability in nonlinear fiber gratings is limited by high switching-on power; The introduction of the phase shift is located at the center of the grating will reduce switching-on threshold 2 or further orders of magnitude.
研究表明,非线性光纤光栅观察到光学双稳态要受较大开关能量的限制,在光栅中引入λ/4相移可以使开关能量减少两个数量级甚至更多。
2.
The research results have showed that, the nonlinear fiber gratings optical bistable switching, as a typical component of all-optical bistale switching, exists restriction factors for application, for example: The switching-on t.
研究表明，非线性光纤光栅双稳开关作为全光双稳开关的一种典型器件，其在实际应用中存在着许多限制因数：阈值能量太大，因而采用普通激光器比较难于实现，且容易导致光栅被损伤；双稳环宽度太小，使开关稳定性较差；上支斜率太大，不利于对脉冲进行整形和限幅等等。
3) nonlinearly chirped FBG
非线性啁啾光纤光栅
1.
The limit region of the nonlinearly chirped FBG(NLCFBG) for the linear chirp c_(1) and nonlinear chirp c_(2) has been analyzed.
分析了不同长度情况下非线性啁啾光纤光栅(NLCFBG)的一阶啁啾系数c1、二阶啁啾系数c2的取值范围,并对其光谱及时延特性进行了数值仿真。
4) nonlinear grating
非线性光栅
1.
A sample implementing method of a nonlinear grating device is proposed based on the diffractive theoretical study of nonlinear grating.
通过对"非线性光栅衍射"的理论研究,提出一种简单地实现"非线性光栅"器件的方法,即用矩形光栅与毛玻璃夹有机溶液的方法制作"非线性光栅"。
5) raster nonlinearity
光栅非线性
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条