1) nonlinear AC response
非线性交流响应
2) non-linear response
非线性响应
1.
Prelimary study on total runoff non-linear response Volterra model;
总径流非线性响应的Volterra模型初探
3) nonlinear response
非线性响应
1.
Adaptive nonuniformity correction algorithm for IRFPA with nonlinear response;
基于非线性响应的红外焦平面阵列非均匀性自适应校正算法
2.
This paper investigated the nonlinear response of a cracked rotor and its bifurcation.
针对裂纹转子非线性响应的特点 ,从有利于故障诊断的角度出发 ,提出了周期采样峰 -峰值 ( PSP)图 ,为提取响应的周期、拟周期和混沌运动的特征量提供了一种新方法。
3.
Based on the nonlinear response model,the influences of nonuniformity produced by linear response and nonlinear response of line array detector on point target detection are compared and analyzed according to mathematical derivation and experimental data.
在探测器非线性响应模型的基础上,从数学推导和实验数据两方面对比和分析了线列探测器线性响应和非线性响应各自引起的非均匀性对点目标检测性能的影响。
5) linear current response
线性流响应
6) nonlinear dynamic response
非线性动力响应
1.
Considering wave force,current force,damping and so on,analysis of nonlinear dynamic responses was proceeded by the finite element software.
然后基于平台的工作环境,考虑了波浪力、水流力和阻尼等作用因素,用有限元软件进行了非线性动力响应分析,根据位移和截面应变变化率的变化情况进行损伤诊断,同时为今后大型海洋平台的损伤诊断提出建议和方法。
2.
The nonlinear dynamic response of a cracked strip subject to transverse step load was analyzed in this paper.
研究含裂纹损伤船体板板条梁两端固支,受横向阶跃均布载荷作用下的非线性动力响应问题。
3.
In numerical examples, the effects of various sizes, depths, delamination positions and loads on the nonlinear dynamic response of .
整个问题采用有限差分法进行求解,算例中,详细讨论了脱层的大小、深度、位置以及载荷等因素对具脱层轴对称层合圆柱壳非线性动力响应的影响。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条