1) two-Volterra system
二维Volterra系统
1.
In this paper,the mininum norm control probloms of linearized two-Volterra systems are discussed,and the existence of mininum norm control element about the systems are proved by regarding the toxin input rate as control variable.
将毒素输入率作为控制变量,研究线性化二维Volterra系统在毒素影响下的最小范数控制问题,并证明了该系统存在最小范数控制元。
2) 2-D Volterra cooperative system
二维Volterra互惠系统
1.
On the existence of 2-D Volterra cooperative system in a small capacity and polluted environment;
小容量污染环境中二维Volterra互惠系统的生存分析
3) Lotka-Volterra systems
Lotka-Volterra系统
1.
The behaviour of the critical solution for Lotka-Volterra systems with perturbation terms are discussed.
讨论了Lotka-Volterra系统附加扰动项后,临界情形定态解的性态,给出了平衡解的稳定性及平衡 解附近轨线的拓扑结构。
2.
This paper is devoted to discuss asymptotic property of solutions in Lotka-Volterra systems with singular M-matrices.
本主讨论了当Lotka-Volterra系统的系数矩阵为奇异M矩阵时解的渐近性态。
3.
This paper summarizes the major advancements of the dynamic behavior for three-dimensional Lotka-Volterra systems.
综述三维Lotka-Volterra系统的动力学行为研究的新进展,主要是极限环的算法化构造与个数问题,以及一些相关猜想。
4) Volterra-type system
Volterra型系统
1.
By using Mawhin coincidence degree, we study the global existence of positive periodic solutions for a class of Volterra-type systems with deviating arguments is studied and a new existence theorem is obtained.
利用Mawhin重合度理论研究了一类具有偏差变元的Volterra型系统周期正解的存在性问题 ,得到了一个新的存在性定理 。
5) Lotka-volterra system
Lotka-volterra系统
1.
Global asymptotic stability of Lotka-Volterra system with variable time delays;
具变时滞Lotka-Volterra系统的全局渐近稳定性
2.
In this paper,we make a summary of some results on the existence and global attractivity of positive periodic solutions of a multi-delayed two-species Lotka-volterra system including competitive,predator-prey and facultative forms.
对已经获得的关于具有周期系数的两种群多时滞Lotka-volterra系统正周期解的存在性和稳定性结果进行了归纳总结。
3.
In this paper Lotka-Volterra system was used to analyze the market evolvement under the scenic spots competition.
随着旅游业的发展与旅游景点间竞争的日益激烈,采用Lotka-Volterra系统对市场竞争状态下的景点演变过程进行分析,得出一个景点在资源约束下必然会采取市场扩张,从而讨论两个景点在环境约束下的市场竞争情况,利用竞争景点间的各种相关关系联系,建立竞争系统动力模型,并对其稳定性进行分析,得到在非均衡市场下景点竞争的各种结果及其形成的条件。
6) Volterra system
Volterra系统
1.
The author considered the stability of solution for the neutral deley Volterra system(E)where τ_ij,σij∈ [0, ∞), r_i,γ_ij,α_ij,β_ij ∈R,i,j =1,2,……,n.
本文研究中立型时滞Volterra系统解的渐近稳定性，得到系统的正常数平衡点为渐近稳定的充分条件，发展了文献〔6〕的结果，回答了文献〔7〕所留下的一个未解决问题。
2.
This paper presents a type of nonautonomous Volterra systems with feedback control and Holling-II functional response.
研究一类具有反馈控制和Holling-II型功能性反应的非自治Volterra系统,并且考虑了功能性反应过程中的时滞现象。
3.
The method of using series of quadratic terms or using them individually based on the cyclic autocorrelation theory can only satisfy the full-Volterra systems or the partial sparseness sys- tems.
对于最大记忆长度信息的估计,基于循环自相关,直接使用或串接平方项的判定方法,只对系统为满Volterra系统或部分稀疏系统的情况成立。
补充资料：一维和二维固体
某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS2等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF5的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层）等。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条