1) deep centers
深中心
1.
The deep centers of high electron mobility transistor (HEMT) and pseudomorphic-HEMT (P-HEMT) functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE are investigated using deep level transient spectroscopy (DLTS) technique.
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 。
3) Deep Level
深能级中心
1.
These results indicate that the photoionization cross section technology based on PID control can measure precisely deep level photoioniz.
在分析GaN中深能级中心与入射光子间相互作用的基础上,提出了一种基于PID(proportional-integral-derivative)技术的深能级中心光离化截面的测试方法。
4) Shenzhen Central District
深圳中心区
5) deep trap center
深陷阱中心
1.
The deep trap center of AlN grown on Si substrate is investigated with PL spectr a and Raman spectra.
通过 PL 谱和 Raman谱对 MOCVD生长 Si基 Al N的深陷阱中心进行了研究 ,发现三个深能级 Et1 ,Et2 ,Et3,分别在 Ev 上 2 。
6) depth of center line
中心线深度
补充资料:热深厥深
热深厥深 热深厥深 病证名。指热厥证的征象。指邪热越深入,四肢厥冷的症状越严重,皆因阳气被遏,邪气内闭所致。属真热假寒证。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条