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1)  critical spreading
临界扩散
2)  critical divergent angle
临界扩散角
1.
Using silk thread affixed to the wall the unsteady phenomenon of the flow was observed,and the critical divergent angle at which the unsteady-state starting was analyzed.
利用壁面丝线流动显示技术观测了局部非稳态流动现象,给出了发生局部非稳态流动的临界扩散角;利用三维点流速仪对局部非稳态流动的流速进行了数据采集,通过功率频谱分析和互相关分析,得出了非稳态流动的基本特征;探讨了局部非稳态流动的成因和条件。
3)  critical dispersion
临界分散,临界扩散
4)  critical scattering
临界散射
5)  interface diffusion
界面扩散
1.
The antiferromagnetic coupling and interface diffusion in Fe/Si multilayers;
Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散
2.
In order to clarify the scale-dependent interface diffusion behavior,the resistivity (ρ) and the specular reflection coefficient (P) of Ni/Al nanomultilayers deposited by magnetron sputtering as a function of the periodic number (n),Ni/Al modulated ratio (R) and modulated period (L) have been characterized by Fuchs-Sondheimer (FS)-Mayadas-Shatzkes (MS) model.
采用FS-MS模型研究了Ni/Al纳米多层膜的薄膜电阻率ρ及镜面反射系数P随周期数n、Ni/Al调制比R和调制波长L的演变规律,从而表征了多层膜界面扩散行为的尺度依赖性。
6)  phase boundary diffusion
相界扩散
补充资料:BCS临界温度`T_c`公式(formulaofBCScriticaltemperature$T_c$)
BCS临界温度`T_c`公式(formulaofBCScriticaltemperature$T_c$)

简称BCSTc公式。在弱耦合条件下所给Tc公式为:

`k_BT_c=(1.14)\hbar\omega_Dexp(-1//N(0)V)`

由此知Tc∝ωD,ωD为德拜频率。但$\omega_D\proptoM^{-1/2}$,M为同位素原子质量。实验指出,Tc∝M-α,对一般元素α=1/2。故上式给出了超导的同位素效应。实验结果又显示,当N(0)V≤0.2时,BCS理论结果与实验的符合很好;0.20<N(0)V<0.3时有1的误差;N(0)V>0.3时则误差增大较迅速。这里N(0)和V分别是T=0K时费米面上一种自旋取向的态密度和电子间净的有效吸引相互作用势强度。所以Tc受弱耦合($N(0)V\lt\lt1$)的限制,其最高Tc也受到限制,不能接近ωD的最高值所对应的Tc。BCS理论机制估计的最高Tc一般约30K左右,对金属氢估计可达252K。

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