1) quantum states/quantum well
量子态/量子阱
2) quantum well states
量子阱态
1.
Theory models for quantum well states in photoemission spectroscopy;
量子阱态光电子谱研究的理论模型
2.
Resonant tunneling through quantum well states in ferromagnetic metallic films;
铁磁金属量子阱态的共振隧穿
3.
Electrons confined in a thin film with its thickness comparable to the Fermi electronwavelength, are quantized into discrete energy levels, known as quantum well states (QWS).
当薄膜厚度和电子费米波长相比拟时,在垂直于薄膜方向上电子的受限运动将导致分立的量子化能级即量子阱态的形成。
3) Quantum well
量子阱
1.
Resonant modes in quantum well structure composed of photonic crystals with different lattice constants;
不同晶格常数光子晶体构成的光量子阱中的共振模
2.
Optical properties and material growth of GaAs(110) quantum wells;
GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性
3.
Light emitting model of GaN LED quantum well;
GaN LED量子阱光发射模型
4) photonic quantum well
光量子阱
1.
Modulated photon confined states with graded-index photonic quantum well structure;
渐变折射率光量子阱对束缚态能级的调整
5) Multiple Quantum wells
多量子阱
1.
Room-temperature photoluminescence of ZnO/MgO multiple quantum wells deposited by reactive magnetron sputtering;
反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析
2.
GaAs/AlGaAs(110)multiple quantum wells(MQWs)were grown by solid source molecular beam epitaxy(MBE)with a valved arsenic cracker cell.
采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构。
3.
The DR spectra of GaAs/Al 0 25 Ga 0 75 As multiple quantum wells (MQWs) samples were measured experimentally.
利用振动光束差分反射测试系统 ,获得了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱 ,初步分析了 DR信号的产生机制 。
6) multi-quantum well
多量子阱
1.
Analyzing the unstable reason of GaN-based blue light LED peak wavelength,it was the quantum restrictionStark effect caused by the multi-quantum well area.
分析了引起GaN基蓝光LED峰值波长不稳定的原因,它是由多量子阱区内极化效应引起的量子限制斯塔克效应造成的。
2.
To verify the direct-gap transition of a SiGe multi-quantum well and grope for its application in thermophotovoltaic cells,a high quality SiGe multi-quantum well is grown by our UHV-CVDⅡ system.
为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量。
3.
Based on the logarithmic relation of gain on carrier density,the rate equations are described for multi-quantum well of vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs) taking into account the influence of nonradiative depopulation rate.
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。
补充资料：量子涡旋
量子涡旋
Quantized vortices
验中，观测到了有确切定义的标准模式O，并与人们预期的一致，因为单个涡旋的有效张力很小．所以这 1毫米P——————一些力学测量通常都涉及包含许多线的系统。然而．某些进展是通过测量单线的很小的角动量获得的。●●●●当装有超流4He的柱形容器绕其轴旋转时，就出现了这些稳定的涡旋态。当转速增加时[从(a)到(1)]，出现 了越来越多的涡旋，图样也越来越复杂 应用离子探查涡旋50年代后期，人们发现液氦中的电子形成微小的泡．而且这些泡被涡旋芯捕获．但可沿着线相当自由地运动。这些电子泡常常被看成离子，是探查量子涡旋的有效工具之一。涡旋的定量性质的最精确的定量的证明来自下述发现：在低温(低于O．5K)下，一个迅速运动的离子可能产生一个涡旋环。这些环完全像经典的烟环一样运动，除非环流x等于IIl／m(可差1％)。 测定单个涡旋线研究者已能使用离子去检测单个量子涡旋线。在一个实验中用离子使旋转容器中的涡旋带电，接着测量被捕获电荷的量。当容器由静止缓慢加速时，被捕获的电荷作为转速的阶梯函数增加。这表明，超流体是以一系列的量子台阶进入旋转状态的。 借助于发展了的离子技术，可将被捕获的离子拨出涡旋线的顶端，加速并聚焦在磷光屏上。因此，屏上产生的磷光形状便是涡旋与液体半月形面接触处的图。下图展示了几张用磷光信号曝光的稳定涡旋状态图，涡旋的形状与理论预言一致。 氦3中的涡旋和中子星尽管只在超流‘He中研究了量子涡旋．但可以期望，在超流3He中也会发现它们。因为3He超流的存在温度比‘He超流的低3个数量级．所以相应的实验更难以完成。除了氦同位素之外，还可能存在其他量子液体。例如，人们相信，中子星内部充满了致密的超流体。因为这些遥远的客体是旋转着的，所以它们内部应该充满着量子涡旋。尽管科学家无法完成中子超流的实验室实验．但这类星的运动本身就提供了某些关于其内部的信息。确实，科学家已能解释中子星的基于其内部量子涡旋的若干运动性质。 因为量子涡旋应普遍出现在所有超流系统中，所以随着更多奇异超流系统的发现。可望在这个领域开展更多的研究。参阅“液氯”(1iquid helium)和“超流”(super。fluidity)各条。 [帕卡德(R．E．Packard)撰]最子涡旋(quantized vortices) 温度低于2.17K时液氦(咯He)一类的超流体显示出的一种流。涡旋一词指的是类似旋涡的样子:流体绕中心线做圆周运动，速度反比于至中心的距离。涡旋的强度取决于环流K，后者是速度沿任何围绕中心线的路径的线积分。对于普通涡旋，K可以取任何值，而对于超流涡旋，‘只能取普朗克常量h除以m的整数倍，其中m是氦原子质量，表示量子化涡旋线。尽管h和m是微观(即原子)量，但比值h/m是比较大的，约为10一3厘米2/秒。参阅“涡旋”(vortex)条。 理论早在1949年，人们就从理论上指出了存在量子涡旋的可能性。超流体可以用宏观(即大尺度)量子力学波函数沪来描述。此波函数表超流体为
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参考词条