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1)  nonlinear expected return
非线性期望收益
2)  irrational expected return
非理性期望收益
3)  nonlinear expectation
非线性期望
4)  rstional expected return
理性期望收益
5)  expected revenue
期望收益
1.
On the aboue assumption, this paper studies reservation value setting and draws conclusions that reservation value has no pertinence with the expected number of bidders while the expected number of bidders affect expected revenue of the auctioneer.
在Friedman对投标人数所作的服从Poisson分布假定的基础上,研究了招标活动中招标商对最优保留值的设置问题,得出了最优保留值的设置与参与投标的期望人数无关以及招标商的期望收益受参与投标的期望人数影响的结论,同时给出了最优保留值的设置公式,从而给招标机制的设计提出了一种更接近实际情况的方法。
2.
Maximization of expected revenue is the only decision objective in that model.
Frideman模型是招标投标领域的重要模型之一,该模型把期望收益最大化作为唯一决策目标。
3.
Aiming at the phenomenon of jump bidding in multi-unit auctions which may change the expected revenue of auctioneer and bidders,the paper studies effect of revenue of two-unit auction based on jump bidding.
针对拍卖中存在的跳跃投标现象,且跳跃投标对可能改变拍卖双方期望收益情况,以基于跳跃出价的两物品增价拍卖为例,研究了跳跃出价对投标方收益效应,计算了跳跃出价均衡下的投标方期望收益,并在同不存在跳跃出价进行比较的基础上,给出了投标方希望通过跳跃出价改善其期望收益的一般条件。
6)  expected return
期望收益
1.
By analyzing the consistency of the fuzzy probability assessment over the state set and using an effective probability distribution, a method for obtaining the expected return and risk of investment combination strategy in the face of fuzzy state probability is presented.
通过对状态集合上模糊概率评价的一致性进行分析,运用与模糊概率评价相对应的一个有效概率分布,给出了模糊状态概率下组合投资策略的期望收益率和风险的表示方法,在此基础上建立了组合投资的多目标决策模型,并给出了其求解过程。
2.
This paper proposes an expected return model for linear bilevel problems with uncertain reaction from follower.
对此类问题 ,本文通过引入领导者对追随者合作程度的期望系数 ,提出期望收益模型 。
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条