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1)  metamagnetic phase transition
变磁性转变
2)  magnetic change
磁性转变
1.
2,12,19,77,and 300 K was measured,and magnetic changes at T=1.
5K下磁化过程中磁性转变(即磁矩变化)的大小,ΔMa1=0。
2.
We have also estimated out the size t hat magnetic change (namely the magnetism square change ) in the course of magnetization.
我们还估出了磁化过程中磁性转变(即磁矩变化)的大小。
3)  Nonmagnetism-magnetism transition
非磁-磁性转变
4)  metamagnetic transition
变磁转变
1.
The large |ΔSM| was attributed to the sharp change of magnetization at TC and the field-induced itinerant-electron metamagnetic transition above TC.
大的磁熵变来源于TC处磁化强度的陡峭变化和TC以上磁场诱发的巡游电子变磁转变。
5)  ferromagnetic transition temperature
铁磁性转变温度
1.
The ferromagnetic transition temperature was analyzed through M-T curve with SQUID.
通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温。
6)  point of magnetic transformation
磁性转变点[冶]
补充资料:磁性材料2.薄膜磁性材料


磁性材料2.薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film

在一定外加磁场作用下,其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看,这些柱形畴好像浮着的一群圆泡,故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下,可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失,实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m),每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕,因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发,已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌,磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小,2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看,以铁氧体磁泡材料比较成熟,早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料,后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜,其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol,的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度,~p,K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│41000 ││ │ (ZMHz) │ (20MHz) │└────────┴──────┴────────┘·3.磁光材料呻〕 当前所用的磁光材料是利用磁光效应制作的磁性材料。
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参考词条