1) subband
子能带
1.
The computational results show that the subband gap is wider for the nanostructu.
通过分析阴极材料的微观结构,建立了多晶材料电子所处势场结构模型,通过数值计算得出:晶粒越小,对应价电子子能带间能隙越大。
2.
In the inversion region, the second capacitance plateau was observed for the first time, which can be attributed to the electron filling in the second subband.
采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构。
3.
The physical phenomenon of delocalization in the electron and hole subbands of quantum well under electric field was observed.
利用导纳谱研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单量子阱光调制器的电学行为，观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”的物理现
3) electronic band structure
电子能带
1.
The paper gives a review of the calculation methods of electronic band structure of perovskite oxides in the first place.
论述了钙钛矿型氧化物电子能带结构的几种常用计算方法:即赝势方法、线性缀加平面波方法(LAPW)、全电势LAPW方法(FLAPW)和线性化Muffin-tin轨道方法(LMTO)等,并采用赝势方法计算了BaTiO3材料的电子能带结构和光学性质,且将计算所得结果与FLAPW方法、TB-LMTO方法及其它方法的计算结果进行比较,发现这些能带计算方法有着各自的优缺点,但总体来说赝势方法和FLAPW方法是目前基于密度泛函理论(DFT)中计算能带结构较为准确的第一性原理计算方法。
4) Energy band electron
能带电子
5) sub-band energy
子带能量
1.
A new algorithm based on sub-band energy was developed to improve the detection result in the low signal-to-noise ratio.
为了提高在低信噪比下的检测效果,提出了一种基于子带能量的检测算法,该算法主要计算子带能量等参数,并通过更新噪声能量来实现。
6) subband structure
子能带结构
1.
On the basis of Chu s experimental model, the experimental data were fitted and the subband structure in the n-type inversion layer was obtained.
２４）ＭＩＳ器件，用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的Ｃ—Ｖ谱，根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱，获得了反型层电子子能带结构，与本文的修正变分自洽方法计算结果基本一致。
补充资料：间接带隙(见半导体的能带结构)
间接带隙(见半导体的能带结构)
indirect band gap
I’ed接带隙indireet band gap见半导体的能带结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条