1) vertical target
横向目标体
1.
Through shallow layer exploration of topographic sections to southern of Inkstone lake in Chengdu university of technology,sections assembly of exploration data in which three high density resistivity method apparatus lies in the same counting line,and comparison the result,test the effect of vertical target in which high-density resistivity tomography.
本文通过对成都理工大学砚湖南侧已知地形断面进行浅层勘测,对同一条测线的三种高密度电阻率法装置勘探数据进行断面拼接,并对结果进行比较,测试高密度电法对横向目标体的勘测效果。
2) component of target velocity normal to rangle
目标横向速度
3) vertical uarget
垂向目标体
4) T-meshes
横向目数
5) target width
目标横宽
补充资料：横向磁场中的空心超导圆柱体（hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield）
横向磁场中的空心超导圆柱体（hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield）
垂直于柱轴（横向）磁场H0中的空心超导长圆柱体就其磁性质讲是单连通超导体。徐龙道和Zharkov由GL理论给出中空部分的磁场强度H1和样品单位长度磁矩M的完整解式，而在`\zeta_1\gt\gt1`和$\Delta\gt\gt1$条件下为：
$H_1=\frac{4H_0}{\zeta_1}sqrt{\frac{\zeta_2}{\zeta_1}}e^{-Delta}$
$M=-\frac{H_0}{2}r_2^2(1-\frac{2}{\zeta_2})$
这里r1和r2分别为空心柱体的内、外半径，d=r2-r1为柱壁厚度，ζ=r/δ(r1≤r≤r2)，Δ=d/δ，δ=δ0/ψ，δ0为大样品弱磁场穿透深度，ψ是有序参量。显然此时H1→0，M→-H0r22/2，样品可用作磁屏蔽体。当$\zeta_1\gt\gt1$，$\Delta\lt\lt1$时，则
H1=H0/(1 ζ1Δ/2)，
M=-H0r23[1-(1 ζ1Δ/2)-1]。
若$\zeta_1\Delta\gt\gt1$，则$H_1\lt\ltH_0$或H1≈0。所以，虽然$d\lt\lt\delta$，但磁场几乎为薄壁所屏蔽而难于透入空心，称ζ1Δ/2为横向磁场中空心长圆柱体的屏蔽因子。当$\zeta_1\Delta\lt\lt1$时，则H1≈H0，磁场穿透薄壁而均进入空腔，失去屏蔽作用，此时M≈0。类似于实心小样品，由GL理论可求出薄壁样品的临界磁场HK1，HK，HK2和临界尺寸等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条