1) derived set
导集
1.
By means of the deep researches on basic concepts of point set topology and relationships among them,and the thought and method of dual category the concept of internal derived set was introduced in point set topology.
通过对点集拓扑学中基本概念及相互关系的研究,引入内导集的概念,再以内导集概念为基础引入关联子集的概念,并对其基本性质及与其他概念的关系进行了初步探讨,取得了一些较好的结果。
2.
The definition of derived set calculation can be obtained according to the closure of set and the characteristics of derived set.
根据导集的性质以及闭包运算的定义,得到导集运算的定义。
3.
Yang:a derived set of any subset in topology space X is colsed if and only if the derived set of every set consistion of a single point is closed.
在一般拓扑学中 ,有一个著名的杨忠道定理 :拓扑空间 X的任意子集的导集是闭集的充分必要条件是每个单点集的导集是闭集[1 ] 。
2) the derived sets
LF集的导集
3) gathering lead wire
集束导线
1.
The application of parallel gathering lead wire in low voltage distribution network;
平行集束导线在低压配电网上的应用
5) cut-set resistance
割集电导
6) leadership collective
领导集体
1.
It reveals the authoritative power of the leadership collective and the core of the leadership and the principles of safeguarding proletarian authority and of anti - personality - cult as well.
本文阐明了恩格斯权威理论的基本内容和邓小平对这一理论的运用和发展；揭示了党的领导集体和领导核心的权威作用以及维护无产阶级权威、反对个人迷信应遵循的基本原则；提出了加强无产阶级权威建设的中心是维护党中央的权威；强调了维护无产阶级权威是坚持唯物史观，建设有中国特色社会主义的必然要求；论证了以江泽民同志为核心的第三代党中央领导集体的政治成熟和行动稳健，已经并将继续形成自己的权威，这是全党全国人民最高利益之所在。
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条