1) series resistance effect
串联电阻效应
2) ESR
等效串联电阻
1.
This paper mainly introduces the electronic character and parameters;through comparing with common Aluminum Polymeri- zer Electrolysis Capacitor,low ESR Aluminum Polymerizer Electrolysis Capacitor and tantaium Aluminum Polymerizer Electrolysis Ca- pacitor,the advantage of low ESR and high ripple current is discussed;The peculiarity of application in current is stated.
本文主要介绍铝聚合物电解电容器的电气性能及主要参数;通过与常规铝电解电容器、低ESR铝电解电容器和钽电解电容器的对比分析,重点阐述了铝聚合物电解电容器等效串联电阻低、承载纹波电流能力强的优点;分析了它在电路中应用的特点。
2.
According the calculated results by theoretic formula and based on the measured data in experiments, electrolytic paper and forming foil have a strong effect on ESR.
鉴于电子镇流器对低损耗、耐大纹波铝电解电容器的需要,将电容器实验测量数据用理论公式进行推算,得到等效串联电阻Res与电容器选用的电解纸、阳极铝箔有极大关系。
3.
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China), Vol 19, No 2, P 15 16,21 (Apr 2000) In Chinese Three methods for testing static capacitance are presented They are time constant method, constant current charge method and constant current discharge methods The first one is simpler and the other two are more accurate The methods for testing ESR and leakage current are also presented (4 refs
同时介绍了等效串联电阻及漏电流的测试方
3) low equivalent series resistance(ESR)
低等效串联电阻
4) equivalent series resistance(ESR)
等效串联电阻(ESR)
5) equivalent serial resistance(ESR)
等效串联电阻
1.
This compensation circuit can make the stability of the LDO linear regulator undependent on the effect of load capacitor s equivalent serial resistance(ESR),and it also makes the unit gain frequency bandwidth change slightly when the load is varying,thus greatly improving the performance of transient response.
文章针对LDO稳定性的问题,提出了一种内部动态频率补偿电路,使LDO线性稳压器的稳定性不受负载电容的等效串联电阻的影响,其单位增益带宽也不随负载电流变化而改变,大大提高了瞬态响应特性;采用Hynix 0。
6) equivalent series resistance (ESR)
等效串联电阻
1.
In addition, some methods to calculate equivalent series resistance (ESR) are analyzed and compared.
对获取等效串联电阻(ESR)的几种方法进行了分析和比较,探讨了在实际电力电子系统在线故障预诊断中应用的可行性,并在理论上推算了ESR随时间的变化趋势。
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条