1) one-dimensional tunnel barrier
一维势垒
2) onedimensional rectangular potential barrier
一维方势垒
1.
The tunneling of an electron through a onedimensional rectangular potential barrier is analysed when the energy of the incident electron is equal to the height of the barrier The relationship between the transmission coefficient and the height and the width of the barrier is deduced, and it is proved that the transmission coefficient is a continuous function of the energy of the incident electro
文中对入射电子能量等于一维方势垒高度时，电子对势垒的透射情况进行了理论分析，导出了这一条件下的电子透射系数与势垒高度及势垒宽度之间的关系，并证明了电子对一维方势垒的透射系数Ｔ是入射电子能量Ｅ的连续函数。
3) symmetric one-dimensional barrier
一维对称双势垒
4) general barrier penetration
一般势垒贯穿
1.
B approximate method ,then proves that the sum of the penetration coefficient and reflection coefficient always make 1 in the course of general barrier penetration ,it means T+R=1 is perpetual.
本文用WKB近似方法讨论了势垒贯穿问题系数T和其透射反射系数R之和恒等为1,即满足恒等式T+R=1,并进一步得出这一结论不仅适用于一般势垒贯穿而且在方势垒贯穿中也成立,最后讨论了势垒贯穿的几种极限情况,例如,h→0(即经典情况),势垒高度v→∞、v→0,势垒宽度a→∞、a→0,等几种特殊情况下的T及R的取值问题。
5) potential barrier
势垒，位垒
6) potential barrier
势垒
1.
Effect of ionic vacancies on potential barrier at grain boundaries in BaTiO_3.;
钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响
2.
How to analyze particle wavefunction of tunneling rectangular potential barrier——On an alteration in the new printing of Atomic Physics by Professor Chu Shenglin;
如何分析隧穿直角势垒的粒子波函数——评褚圣麟先生《原子物理学》在新印本中的一个变动
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条