1) Negative magneto resistance
负磁电阻
2) negative resist
负电阻，负阻
3) negative-resistance magnetron
负阻磁控管
4) load resistance
负载电阻
1.
The experiments indicate the output signals are affected by the intensity of the optical signal and the size of the load resistance.
在对光电二极管施加5 V偏置电压的情况下,对于其接收的不同强度的光信号,采用不同的负载电阻而输出的电信号进行了大量实验。
2.
The influences of load resistance on tetra-lateral position sensitive detectors (PSDs) are studied by experiment.
通过实验研究了负载电阻对四边形PSD的影响规律。
5) negative resistor
负电阻
1.
Series and parallel connection of different kinds of resistors are discussed,including negative resistor and negative resistor,negative resistor and positive resistor.
负电阻不是实际存在的电路器件,但它可以通过运放和其它电路元件来实现。
2.
Series negative resistor is needed to compensate the time constant in dynamic simulation laboratory which has to be equal to that in power plant.
在电力系统动态物理模拟中,为使模拟同步发电机的励磁绕组的时间常数等于原型同步发电机励磁绕组的时间常数,需要通过串接负电阻来进行补偿。
6) negative resistance
负电阻
1.
A negative resistance is not a component of the real circuit,but it can be realized by using other circuit components.
负电阻不是实际存在的电路器件,但它可以通过其它的电路元件来实现。
2.
This paper introduces the concept and character of negative resistance brief, and through circuit experiment it implements the negative resistance and draws up the C-V characteristic curve of the negative resistance.
简单介绍了负电阻的概念和性质,并通过电路实验实现了负电阻,且画出该电路的伏安特性曲线。
3.
This paper presents a novel scheme for enhancing resistance that utilizes an equivalent negative resistance.
给出一种利用等效负电阻实现阻抗增加的方法。
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条