1) (CdS)n and (CdTe)n clusters
(CdS)n和(CdTe)n团簇
2) (CdS)_n and (CdTe)_n clusters
(CdS)_n和(CdTe)_n团簇
3) (GaP)n and (GaP)-n clusters
(GaP)n和(GaP)n-团簇
4) (CdSe)n and(HgTe)n clusters
(CdSe)n和(HgTe)n团簇
5) (AlN) n clusters
(AlN)n团簇
6) La 2C n cluster
La_2C~n团簇
补充资料：cadmium telluride CdTe
分子式：
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条