1) nonlinear frequency pulling
非线性频率牵引
1.
Detailed analysis of clusters of nonlinear oscillators system is due to nonlinear frequency pulling.
数值分析了最近邻耦合系统的非线性频率牵引对系统集团化的影响。
2) the linewidth and frequency pulling
线宽和频率牵引
3) frequency pulling
频率牵引
1.
The condition of laser system and its frequency pulling effect were analysis.
讨论了无注入信号的激光稳态输出条件及其频率牵引效应。
2.
The change in spectral features including spectral envelope, frequency pulling, and number of the LM etc.
在一定情况下，短腔染料激光器的多纵模激光经放大器放大可产生一个至几个新纵模，新纵模与短腔染料激光器输出的纵模有相似的频率间隔、线宽及频率牵引等特征。
3.
The phenomenon of its frequency pulling is observed when a sine wave is put into a common LC oscillator.
通过两个电压振荡器相互耦合,得到标准圆周映射的公式,实验是在普通LC振荡电路上注入正弦波信号,观察其频率牵引,结果发现,振荡器若有了外界周期性的非线性耦合,其稳定振荡的相位与频率脱离了原来的固有值,振荡器的混沌运动极易观察到;该实验很好地验证了圆周映射中的同步锁频与混沌现象。
4) Frequency/power pull
VCO频率牵引
5) nonlinear frequency
非线性频率
1.
By introducing nonlinear frequency, using Floquet theory and referring to the characteristics of the solution when it passes through the transition boundaries,all kinds of bifurcation modes and their transition boundaries of Duffing equation with two periodic excitations as well as the possible ways to chaos are studied in this paper.
本文通过引入非线性频率，利用Ｆｌｏｑｕｅｔ理论及解通过转迁集时的特性，研究了不可通约两周期激励作用下的Ｄｕｆｉｎｇ方程在一次近似下的各种分岔模式及其转迁集，并指出其通向混沌可能的途径
6) frequency pulling effect
频率牵引效应
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条