1) dynamic stochastic elasticity
动态随机弹性
1.
The dynamic stochastic elasticity is introduced and its applications on the pricing option models are discussed.
给出动态随机弹性的概念及运算性质,讨论了动态随机弹性在期权定价模型中的应用。
2) stochastic elasticity
随机弹性
1.
On the basis of the concept of stochastic elasticity presented, under the conditions in which out-of-stock is not permitted and wholesale stock with goods at interval is demanded, and in which out-of-stock is permitted and continuously stock with goods in a batch is demanded, the elasticity of total cost of one purchase period is studied.
利用随机弹性概念,研究了不允许缺货的整批间隔进货模型和不允许缺货的分批连续进货模型中,一个采购周期内的总费用对最高库存量的弹性。
2.
Based on the theory of stochastic processes and stochastic elasticity, the concepts of stochastic process elasticity and stochastic process inner elasticity are given, with its operation properties studied.
根据随机过程理论,在随机弹性理论基础上,提出了随机过程弹性和随机过程内部弹性的概念,给出了运算性质。
3.
This paper fixes on enterprise profit forecast,Stochastic elasticity of profit is given under the condition that production and sales volume are random variables with stochastic elasticity theory.
利用随机弹性理论研究产销量为随机变量时,利润对产销量的随机弹性,给出了利润弹性的分布函数和概率密度函数,销售量的变化对利润弹性产生影响。
3) Stochastic dynamic programming model
随机性动态规划
4) elastodynamic extruder
弹性动态挤出机
5) Random Dynamic
随机动态
1.
A study on a Wireless Operated,Random Dynamic,Dot Matrix,Large Screen System;
无线操作随机动态点阵式大屏幕系统研究与设计
6) Dynamic and Stochastic
动态随机
1.
Structure Study of Dynamic and Stochastic Activity-Based Costing Control System;
动态随机作业成本控制系统框架研究
补充资料：动态随机存取存储器芯片
动态随机存取存储器芯片
dynamic random access memory chip,DRAM
丽爪厂-.亡再再—A一A饭二加肋姗娜再生地址丽爪厂几一J一-骊一一一几..…厂一~A0一Al二厂一1川功功留 行地址列地址(a) 图4(a)仅豆丽方式; (b)(e)DRAM的别新方式(b)亡丽在前方式;(c)隐含方式出数据有效的时间。目前有120，100，70，60ns等种类，在DRAM产品上分别用一12，一10，一7，一6表示。实际使用时列地址读出时间t优也很重要，它是由石店下降边到读出数据有效的时间，通常为40ns一ZOns。由于列选读出时间比行选读出时间小得多，而行选工作时，选中行线所有单元存储的数据均输出到列数据寄存器;因此】〕RAM可以选择快速工作方式，即在瓦骊变为低后，连续访问已选中行的不同列的存储单元。在快速工作方式下同样可有读出、写入和读一改写操作。有三种快速工作方式，即页面方式、半字节方式、列静态方式，最常用的是页面工作方式。 (1)页面方式豆后为低时，石店连续输人页脉冲。用〔骊污下降边锁存由地址线输人的不同的列地址，从而访问同一行地址、不同列地址的存储单元。由于不需每次访问都由豆入弓变低开始，因而后面的访问读出时间和周期可大大缩短。 (2)半字节方式豆丽为低时，第一个硕丽下降边锁存由地址线输人的第一个列地址。以后的三个亡丽下降边锁存内部自动加一的列地址。这样可快速访问行地址相同、四个列地址连续的存储单兀。 (3)列静态方式当瓦店为低时，石店的下降边锁存第一个列地址，读出其数据(或进行其它操作)，然后厄丽和瓦活维持低电平。通过改变地址线输人的列地址来改变要访间的存储单元，这时的控制类似于.态随机存取存储器芯片的操作。 初期的1〕RAM是PMC6工艺制作的，但广泛使用的是NMC6和CMC6DRAM。由于静态功耗的限制，NMC61〕RAM目前只做到256 kb。随着CNI(万微细加工技术的高度发展，CMC6DRAM已达到64 Mb。NMG6I)R AM 256kb芯片的静止功耗约为25inw，而ChKE】〕RAM256kb到16Mb芯片均不大于5.5n1w。这两种工艺的工作功耗均为400 n1w左右。 微细加工技术的发展，不仅使I)RAM的容量不断加大，访问时间加快，而且在结构上出现了各种不同的字长。初期DRAM的字长仅1位，输人数据与输出数据用两个管脚，后来增加到4位字长。容量提高到IMb以上的DR人M又增加到8位和16位字长。例如对4Mbl)R AM，结构上有4MI〕xl，IML〕x4，512kbX8，256kbX16等不同字长。这样，可用最少量的芯片满足各种系统对存储容量的不同需求。
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参考词条