1) DFE equalizer
DFE非线性均衡器
1.
It is discussed in the paper that based on the mathematic process the nonlinear DFE equalizer could be linearlized and discomposed into 2 symmetric linear equalizers,which could be placed at the source part and the receiver part of the serious multipath interference transmission channel(such as high speed transmission in tunnel where serious multipath interference exists).
利用DFE非线性均衡器,通过数学处理对其进行线性化拆分,拆分后的两个线性均衡器分别置于信道的接收和发送端,使其能用于强多径干扰的信号传输环境(如存在强多径干扰的隧道中的高速信号传输)。
2) nonlinear equalizers
非线性均衡器
1.
The MBER objective function for QAM is derived and complex-valued nonlinear equalizers are realized via Volterra series.
推导了针对QAM信号的最低误码率准则训练算法的目标函数,并用Volterra序列来实现复值的非线性均衡器。
3) decision feedback equalizer
判决反馈均衡器(DFE)
4) nonlinear equalization
非线性均衡
1.
For the common equalization problem in communication,the LS-SVM is applied to nonlinear equalization task in case of nonlinear channel with color noise.
结合通信中常见的非线性均衡问题,讨论了在信道呈现非线性,色噪声干扰情况下,使用LS-SVM实现均衡任务,通过同最优贝叶斯均衡器性能的比较,证明了LS-SVM处理非线性均衡问题的有效性。
2.
It is used in nonlinear equalization.
本文基于模糊C-均值算法设计了能对不在同一时刻到达的数据进行实时模糊聚类的N-伪递推模糊c-均值算法(N Pseudo Recursive Fuzzy c-means A lgorithm,简记为N-PRFCM),并将其应用到非线性均衡上(N-PRFCM均衡算法)。
3.
And it uses the analysis method of nonlinear equalization,and analyzes the condition under which the maximization of three benefits of forestry can be achieved.
在分析林业三大效益的规模经济问题时,运用非线性均衡分析方法,并通过建立模型论证了林业三大效益达到最大化即均衡状态时所必需的条件。
5) nonlinear channel equalizer
非线性信道均衡器
6) nonlinear adaptive equalizer
非线性自适应均衡器
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条