1) Periodic band gap
禁带周期
2) intraperiod band
内周期带
3) periodic zone
周期带
4) half-period zones
半周期带
5) forbidden band
禁带
1.
Characteristic analysis of forbidden band of planer photonic crystal;
平板光子晶体的禁带特性分析
2.
Investigation into forbidden band characteristic of 1-D laser holographic photonic crystal with eigen matrix;
用特征矩阵法研究一维激光全息光子晶体的禁带特性
3.
The sound wave in the phononic crystal can appear a series of forbidden bands.
得出:声波在一维声子晶体中传播时会出现一系列禁带,各级禁带的频率中心是等间隔的,各级禁带的频率宽度是相等的。
6) Band gap
禁带
1.
Study on the band gap of photonic crystals using phase diagram;
相位图法研究光子晶体的禁带
2.
The main properties of the band gap and dispersion structure of the one-dimensional photonic crystal,whose each period consisting of one layer of a usual material and one layer of negative refractive material,are studied based on Maxwell equation and Bloch theory.
为了得到新的传输性质,把具有负介电常数和磁导率的负折射率材料引入到光子晶体当中,运用M axwell电磁波方程和B loch理论得到的含正负折射率材料的色散关系的解析式,分别分析一维无限周期且正折射率材料和负折射率材料交替组成的一维光子晶体的禁带结构和色散特性,并与常规的正折射率材料的光子晶体比较,发现含正、负折射率材料且呈周期性重复的双层结构的复合光子晶体其光子具有较宽禁带,为设计超宽禁带的光子带隙结构提供了一定的理论可能性。
3.
It is obviously shown from the calculated results that band gap width positions and defect mode transmission coefficient positions are related to position,type,dielectric constant of defect,especially rel.
在一维线缺陷的研究基础上进一步应用转移矩阵方法数值研究带其它缺陷的二维正方晶格圆柱光子晶体的透射谱,缺陷的引入使得原来不透电磁波的禁带中,出现了缺陷模,即某一波长的电磁波可以透过,计算结果表明禁带位置、宽度,缺陷模的位置与透过率随着缺陷的种类、介质、程度有关,特别是都受到波源的入射角调制。
补充资料：宽禁带半导体(见半导体的能带结构)
宽禁带半导体(见半导体的能带结构)
wide gap semiconductor
习一’平叼能带结构。‘J~正J“、二二，，Conauctor见半
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参考词条