1) sputtering distance
溅射距离
1.
The relationship between the uniformity of the deposited film thickness, the magnetic field distribution on planar target and sputtering distance was discussed, then the basic construction of a magnetron sputtering source suitable for making micro-electronic devices was designed conceptually and developed, ie.
本文根据对国内外现有适用微电子器件生产的圆形平面溅射源的基本特性的分析比较,通过对平面磁控溅射靶的磁场分布和溅射距离同沉积薄膜厚度均匀性关系的讨论,得出适应于微电子器件生产的磁控溅射源的基本结构,最终确定了能保证良好的沉积特性、膜厚均匀性及靶材利用率高的圆形平面旋转溅射源。
2) ion sputtering
离子溅射
1.
Application of ion sputtering in plasma nitriding of austenitic stainless steel
离子溅射在奥氏体不锈钢离子渗氮中的应用
2.
Effect of ion sputtering platinum on photocatalytic degradation of ethylene in the environment of cold storage
离子溅射Pt对光催化降解冷藏环境中乙烯的影响
3.
Silicate substrates were coated by ion sputtering with nickel,and then used to catalyze the decomposition of low hydrocarbons to prepare the relatively well distributed carbon nanotubes films(CNFs).
1 实验部份1 1 镀膜与后处理采用离子溅射法在硅酸盐基板上镀镍,镀镍电流7 5mA,镀镍时间分别为2min、15min、30min、45min或60min;对镀镍基板再进行蚀刻(蚀刻电流7 5mA,蚀刻时间2min)或用氨水浸泡处理(含NH325%,超声振荡30min),然后烘干备用。
3) off-axis sputtering
离轴溅射
1.
Prediction on the optimal geometry for off-axis sputtering process;
离轴溅射法中最佳几何参量的预测
5) ion-beam sputtering
离子束溅射
1.
Si/Ge multilayer films were prepared by ion-beam sputtering.
采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征。
2.
Si/Ge multilayer films have been prepared by ion-beam sputtering on glass substrates with different periods.
采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品。
3.
A series of AgNiMnGa nano-granular films with different combinations of component materials were fabricated by using ion-beam sputtering technique.
利用离子束溅射技术制备了AgNiMnGa颗粒膜的系列样品。
6) Ar ion sputtering effect
Ar离子溅射
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条