1) transient surface photovoltage property
瞬态表面光伏特性
2) surface photovoltaic property
表面光伏性质
3) transient optical properties
瞬态光学特性
4) transient fluorescent behavior
瞬态荧光特性
5) Surface photovoltage
表面光伏
1.
According to the gotten formula of the energy gaps(E gΓ ) of the semi-insulating(SI) GaAs, and using the measured result by the surface photovoltage method, the energy gaps of five kinds of sample in 300?K are computed.
根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 。
6) transient current-voltage properties
瞬态伏安特征
补充资料：态-态反应性散射截面
分子式：
CAS号：
性质：设有一态-态反应A+BC(υ，j)=AB(υ′,j′)+C，其中υ、υ′、j、j′分别为反应物和产物的振动量子数和转动量子数。根据微分反应截面σr的定义，则σr(υ、j︱υ′、j′)应为单位时间单位立体角中散射的具有υ′、j′能态的分子数占散射截面的分率。态-态反应性散射截面即其积分态-态反应截面Sr(n´∣n，g)=(n´∣n，g，θ) dΩ，n表示内部量子态，Z为相对速率。
CAS号：
性质：设有一态-态反应A+BC(υ，j)=AB(υ′,j′)+C，其中υ、υ′、j、j′分别为反应物和产物的振动量子数和转动量子数。根据微分反应截面σr的定义，则σr(υ、j︱υ′、j′)应为单位时间单位立体角中散射的具有υ′、j′能态的分子数占散射截面的分率。态-态反应性散射截面即其积分态-态反应截面Sr(n´∣n，g)=(n´∣n，g，θ) dΩ，n表示内部量子态，Z为相对速率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条