Tm~（3+）/Yb~（3+）掺杂,Tm~(3+) and Yb~(3+) codoped,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Tm~(3+) and Yb~(3+) codoped

Tm~（3+）/Yb~（3+）掺杂

2) TM

Monitoring and Evaluating Therm-water Pollution of Dayawan by TM Images;

利用TM影像监测和评价大亚湾温排水热污染

Analysis of Temporal and Spatial Changes of Water Clarity Based on TM Image in the Estuary of Qiantang River;

基于TM影像的钱塘江入海口水体透明度的时空变化分析

Tm→Ho Energy Transfer in Cr,Tm,Ho∶YAG;

Cr,Tm,Ho∶YAG中Tm→Ho的能量转移

3) ATM

A-TM

4) Tm:YAP

Tm:YAP

Nd:YAP and Tm:YAP crystal of b axis were grown by the Czochralski method,and the problem of crack was resolved by the optimum of thermal field,technical parameters of growth and cutting process.

采用提拉法生长了b轴方向的掺钕和掺铥铝酸钇(Nd:YAP和Tm:YAP)晶体,通过温场系统、生长工艺参数和切割工艺的优化,克服了晶体开裂的问题,晶体直径达到46mm;通过真空退火工艺,既显著减轻了紫外和可见区的色心吸收,又减小了晶体的应力,有助于克服晶体在加工过程中的开裂问题。

5) Landsat/TM

Landsat/TM

Retrieval of the Surface Reflectivity and the Aerosol Optical Thickness over Chiba Land Area from ASTER and Landsat/TM Imagery;

从ASTER和Landsat/TM卫星数据反演日本千叶地区地表反射率和气溶胶光学厚度分布

6) MicrogardTM

Microgard~（TM）

参考词条

补充资料：半导体材料掺杂

半导体材料掺杂
doping for semiconductor material

bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) Tm~(3+) and Yb~(3+) codoped Tm~（3+）/Yb~（3+）掺杂 2) TM TM 1. Monitoring and Evaluating Therm-water Pollution of Dayawan by TM Images; 利用TM影像监测和评价大亚湾温排水热污染 2. Analysis of Temporal and Spatial Changes of Water Clarity Based on TM Image in the Estuary of Qiantang River; 基于TM影像的钱塘江入海口水体透明度的时空变化分析 3. Tm→Ho Energy Transfer in Cr,Tm,Ho∶YAG; Cr,Tm,Ho∶YAG中Tm→Ho的能量转移 3) ATM A-TM 4) Tm:YAP Tm:YAP 1. Nd:YAP and Tm:YAP crystal of b axis were grown by the Czochralski method,and the problem of crack was resolved by the optimum of thermal field,technical parameters of growth and cutting process. 采用提拉法生长了b轴方向的掺钕和掺铥铝酸钇(Nd:YAP和Tm:YAP)晶体,通过温场系统、生长工艺参数和切割工艺的优化,克服了晶体开裂的问题,晶体直径达到46mm;通过真空退火工艺,既显著减轻了紫外和可见区的色心吸收,又减小了晶体的应力,有助于克服晶体在加工过程中的开裂问题。 5) Landsat/TM Landsat/TM 1. Retrieval of the Surface Reflectivity and the Aerosol Optical Thickness over Chiba Land Area from ASTER and Landsat/TM Imagery; 从ASTER和Landsat/TM卫星数据反演日本千叶地区地表反射率和气溶胶光学厚度分布 6) MicrogardTM Microgard~（TM）参考词条 Tm:YVO4 LSC~（TM） EAPC~（TM） MCC~（TM） EMCC~（TM） ITC~（TM） BLI~（TM） MICA-TM jetPEI~（TM） SonoVue~（TM） WI+TM 3MStreri-Drape~（TM） Landsat TM Tm-Ab LANDSAT-TM BVblue~（TM） TM卡 WebCTRL~（TM）浮式结构物 WDHM 补充资料：半导体材料掺杂半导体材料掺杂 doping for semiconductor material bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群) 说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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