2) electrons scattering
电子散射
1.
Monte Carlo method is used to simulate energies and space distributions of low-energy electrons scattering(E_0≤5 keV) in Ni,NiTi and Ti bulks.
采用MonteCarlo方法,模拟了低能电子束(能量E0≤5keV)作用下Ni,Ti及NiTi合金固体中的电子散射,分析了3种金属/合金中散射电子的能量与空间分布。
2.
, Part 1: Simulations on electrons scattering in Al,Ti alloy-plies; Part 2: Mechanical characters of fullerene & fullerene polymeric molecules.
本文研究内容分为两个部分,第一部分:航空铝、钛合金板材电子散射性能模拟;第二部分:研究碳富勒烯及其聚合体的力学特性。
3) electron scattering
电子散射
1.
The physical model of electron scattering is based on the us.
电子散射的物理模型则采用Mott散射截面描述电子与原子间的弹性相互作用,以及用介电函数理论描述电子与固体的非弹性相互作用,同时还考虑到了二次电子的级联产生过程。
2.
An electron scattering model is proposed to explain the polarization of AGN(active galactic nuclei) in terms of its specific geometry and particle distribution,for example,Seyfert galaxy.
以赛弗特星系为例,考虑活动星系核的物质成分和特殊几何结构,通过建立电子散射模型来研究活动星系核的光学偏振,给出与观测结果相一致的偏振值,以及偏振度随视角变化的特性,对进一步研究活动星系核的统一模型有一定意义。
3.
First of all, the paper gives summary and analysis the theoretical knowledge of the resolution, electron scattering and electro-optical calculation.
首先,本文对分辨力、电子散射、电子光学计算等的理论知识进行了总结与分析。
4) backscattered electron
背散射电子
1.
Emission of the backscattered electrons from ultra-thin film on substrate under the action of low-energy beams;
低能束作用下衬底上超薄膜背散射电子发射
2.
Using Monte Carlo method, both emission and spatial distributions of the backscattered electrons(BSEs) of the solids Al,Cu,Ag,Au under the action of low energy electrons with energy E 0≤5*!keV have been simulated and calculated.
应用MonteCarlo方法 ,对能量E0 5keV低能电子作用下固体Al、Cu、Ag、Au的背散射电子发射及表面空间分布作了计算 。
3.
The spatial distribution of backscattered electron in solids have been calculated by Monte Carlo method, based on Mott cross-seCtion for elastic scattering as well as Streitwolf,Quirm and Gryzinski s cross-section for inelastic scattering.
应用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对不同能量低能电子作用下背散射电子在固体中的空间分布作了计算，电子的弹性散射用Ｍｏｔｔ截面描述、非弹性散射按文献［３］的方法由Ｓｔｒｅｉｔｗｏｌｆ。
5) electron-phonon scattering
电声子散射
6) Electron wave scattering
电子波散射
补充资料：背散射电子
分子式：
CAS号：
性质： 高能电子束轰击样品时，从距样品表面0.1～lμm深度范围内散射回来的入射电子。该电子的能量近似入射电子能量。在扫描电镜技术中，高能入射电子束轰击样品表面时，由于电子与物质间的相互作用是一个复杂的过程，故从样品中可激发出各种有用的信息，通过二次电子成像，可以了解样品表面的形貌、受激区域的成分以及有关样品力学、磁学、电子学等性能，其中背散射电子像则着重反映样品的表面形貌和原子序数的分布等。
CAS号：
性质： 高能电子束轰击样品时，从距样品表面0.1～lμm深度范围内散射回来的入射电子。该电子的能量近似入射电子能量。在扫描电镜技术中，高能入射电子束轰击样品表面时，由于电子与物质间的相互作用是一个复杂的过程，故从样品中可激发出各种有用的信息，通过二次电子成像，可以了解样品表面的形貌、受激区域的成分以及有关样品力学、磁学、电子学等性能，其中背散射电子像则着重反映样品的表面形貌和原子序数的分布等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条