1) Electroabsorption modulators
电吸收调制晶体
1.
The characteristics of an ultrashort optic pulse source based on electroabsorption modulators are investigated by means of numerical simulations.
数值模拟了基于电吸收调制晶体 (EAM )的超短光脉冲源的输出脉冲宽度及消光比与外加反向偏压、射频信号幅度之间的变化关系。
2) electroabsorption modulation
电吸收调制
1.
Charateristics of ultrashort optical pulses based on electroabsorption modulation lasers were investigated by numerical simulations and experiments.
介绍了电吸收调制激光器(EML)产生超短光脉冲的原理,对输出脉冲进行了数值模拟和实验研究。
3) absorption
[英][əb'sɔ:pʃn] [美][əb'sɔrpʃən]
晶体吸收
1.
The peak shape of the X-ray diffraction effected by the absorption of crystal;
晶体吸收对X射线衍射峰形状的影响
5) EAM
电吸收型调制器
1.
Based on the character of photoelectric mixing in electro-absorption modulator in- tegrated distributed-feedback semiconductor laser (EAM-DFB),the equivalent circuit model in- cluding spontaneous emission,Auger recombination,parasitic efforts and isolation resistance is established.
针对电吸收型调制器和分布反馈激光器集成光源(EAM-DFB)的光电混合特征,建立了包含自发辐射、俄歇复合、寄生效应以及隔离电阻的等效电路模型。
6) electroabsorption modulator
电吸收调制器
1.
Novel 40 Gbit/s optical 3R regenerator using electroabsorption modulators;
基于电吸收调制器的新型40Gbit/s光学3R重生器
2.
60μm laser diode and electroabsorption modulator monolithically integrated with a novel dual-waveguide spot-size converter output for low-loss coupling to a cleaved single-mode optical fiber are demonstrated.
6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件。
3.
The switch window of demultiplexer using an electroabsorption modulator (EAM) is simulated and analyzed theoretically combined with the channel crosstalk and intensity fluctuations (synchronization deviation and time jitter).
数值模拟了基于电吸收调制器 (Electro absorptionmodulator,EAM)解复用器的开关窗口特性 ,在考虑邻道串扰和强度抖动 (由同步偏离和时间抖动导致 )的光时分复用数值模型中对解复用信号的误码率进行分析。
补充资料：晶体吸收谱
晶体吸收谱
Crystal absorption spectra
度的灰色外观。但是有少数特例，像铜和金，自由载流子吸收和内亲吸收过程都同等重要，因而在可见光区的吸收谱有很大变化。 内襄吸收在成键(满价)能带和反成键(空导)能带之间电子的跃迁会产生与自由原子的线吸收谱相当的晶体吸收谱。在谱线的可见和紫外部分，这些内察吸收支配着半导体和绝缘体的光学性质。在可见和近紫外范围内，能带中电子能量随电子动量的变化会在晶体的吸收谱中产生结构。内案吸收的最明显特征是谱线具有基本吸收边，它标志着低能透明区与高能强吸收区之间的边界，基本吸收边能量由禁隙决定，即晶体的最高价带和最低导带两个态之间的能量差。吸收边或禁隙可以不存在〔在金属中，像铅(Pb)、白锡中;在半金属中，像锑(Sb)、秘(Bi)中]，可以是零(在半导体中，像H莎dTe合金之一灰锡)，吸收边或禁隙落在红外区〔在半导体中，像锗(Ge)、硅(51)、砷化稼(GaAs)〕，或是出现在可见光区[在半导体中像磷化稼(Gap)，硫化锡(CdS)〕，或是深入紫外部分[在绝缘体中，像碳(C)即金刚石、氯化钠(NaCI)、二氧化硅(5102)、氟化锉(LIF)]。参阅“固体能带论，，(band theo巧of solids)。 内察吸收谱有间接和直接的两种类型，根据声子是否参与吸收过程而定。间接吸收过程的情况是很难出现的，其吸收系数比直接的跃迁要小一百倍到一千倍。在某些晶体(锗、硅、磷化稼)中它们是重要的，在这些晶体中最高价态和最低导电态的电子动量具有不同的数值，因而这一吸收过程中需要一个声子使得动量守恒。在另外一些晶体(砷化稼、氧化锌)中，最高价态和最低导电态的电子动量相同，基本吸收边是直接吸收的类型。 不论是直接的或是间接的跃迁，被激发的电子都受到库仑相互作用而被吸引到空位或空穴，空穴是由于电子的激发在价带中产生的。电子和空穴有强烈地结合在一起的倾向，形成称为激子的类氢态。激子对吸收边附近的吸收谱的形状有很大的影响。正结合能是指产生一个激子所需的能量略小于禁隙的能量。激子的产生使得有可能吸收小于禁隙的辐射能量。最低可能的激子吸收过程使得在大多数半导体的吸收边上和绝缘体的吸收边上看到一条单线。此外，紧接在基本吸收边上激子效应使吸收过程有强烈的增加。参阅“激子”(exeiton)条。 在基本吸收边以上的吸收结构起因于临界点，像基本吸收边本身那样，临界点代表着新的价带和导带之间跃迁成为可能的能量〔在临界点M。，电子能量作为电子动量的函数达到相对极小)，或者代表着原来有效的带一对跃迁变为不可能(在临界点M3，电子能量达到相对极大)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条