1) TMA gas sensing properties
三甲基胺气敏特性
2) gas sensing property
气敏特性
1.
The gas sensing property shows that the Pd-doped SnO2 nanowires have higher sense and faster response.
SnO2纳米线的气敏特性表明,掺杂了钯的SnO2纳米线对丙酮灵敏度高,响应快。
3) gas-sensing properties
气敏特性
1.
This material was made into gas sensors and measured its gas-sensing properties to ethanol, CO, H2, H2S etc.
将材料制成气敏元件并测试了其对H2S,乙醇,CO,H2等多种气体的气敏特性,结果发现该材料对H2S有较高的灵敏度和选择性,因而有较高的实用价值。
2.
It is showed that: the sample prepared with 80mA/cm~2 corrosion current density has the best gas-sensing properties.
本文主要针对多孔硅基氧化钨气敏薄膜以及传感器的电学特性和气敏特性进行了研究。
3.
Preparation and gas-sensing properties of nanosized α-Fe_2O_3;
结果表明 ,纳米氧化铁具有粒度小、颗粒分布均匀的特点 ,并发现纳米氧化铁在焙烧温度为 60 0℃及掺杂 3 %贵金属或碳酸盐的条件下 ,对CO气体均有很好的气敏特
4) Gas-sensing property
气敏特性
1.
The gas-sensing property was tested by p-polarized reflectance.
通过X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外谱(FT IR)及原子力显微镜(AFM)表征了薄膜样品的物相结构与表面形貌,利用紫外 可见光谱研究了复合薄膜光学特性,利用p 偏振光双面反射法对薄膜的气敏特性进行了测试。
2.
Experimental results show that the parameters of Mossbauer spectra isomer shift and quadrupole splitting vary with the sputtering time and the annealing temperature, and that both variances are in agreement with the response of the gas-sensing property.
二次溅射薄膜ＳｎＯ２／ＺｎＯ是一种有用的气敏材料，本文用内转换电子穆谱（ＣＥＭＳ）方法，研究了它的气敏特性，实验结果表明，穆谱参数（同质异能移ＩＳ和四极分裂ＱＳ）随溅射时间和退火温度变化。
5) gas sensing properties
气敏特性
1.
Research progress on gas sensing properties of nanostructured TiO_2;
纳米TiO_2气敏特性研究进展
2.
Fabrication and gas sensing properties of electrospun carbon black/poly(vinyl alcohol) nanofibers;
碳黑/聚乙烯醇电纺复合纤维的制备与气敏特性研究
3.
Their gas sensing properties are also investigated.
对薄膜的气敏特性进行了测量。
6) Gas sensitivity
气敏特性
1.
The gas sensitivity of platinum microelectrode modified by Pt sol to carbon monoxide;
Pt胶粒修饰Pt丝微电极对CO的气敏特性研究
2.
The gas sensitivity(referring to working temperature-sensitivity and response-recovery time) of the SnO2 nano-particles to CH4 at the volume fraction of 2.
5×10-4时,测试SnO2纳米颗粒对CH4气体的气敏特性,包括工作温度-气体灵敏度和响应-恢复特性,结果表明SnO2颗粒在工作温度为350℃时对CH4的最大灵敏度为11,响应-恢复时间分别为5 s和8 s。
3.
AFM characterization and gas sensitivity of SnO_2 thin films;
2H2O为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了二氧化锡纳米薄膜,对薄膜制备过程中原料的浓度、陈化时间、提拉速度、烧结温度、烧结时间等影响因素进行了系统的研究,获得了较佳的制膜工艺条件,并测试了SnO2薄膜在室温下的气敏特性。
补充资料：1,1,1-三甲基-N-[(三甲基硅基)甲基]硅烷胺
分子式：C7H21NSi2
分子量：175.42
CAS号：37074-17-2
性质：密度0.797。沸点150°C。闪点27°C。
分子量：175.42
CAS号：37074-17-2
性质：密度0.797。沸点150°C。闪点27°C。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条