1) Fodel Photoetching
光刻成图技术
1.
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China), Vol 19, No 2, P 32 33 (Apr 2000) In Chinese Presented is the MCM made by means of advanced thick film technologies, such as LTCC, Diffusion Patterning and Fodel Photoetching Of the MCM, the cost is lower, reliability and density higher, lead time shorter and potential market broader (no refs
介绍了应用低温共烧陶瓷技术 ,扩散成图技术以及 Fodel光刻成图技术等先进厚膜技术所研制的MCM。
2) photolithography
[英][,fəutəli'θɔgrəfi] [美][,fotolɪ'θɑgrəfɪ]
光刻技术
1.
Research on a Photolithography with LCD Real-time Masks;
液晶实时掩膜光刻技术研究
2.
According to the demand of high data density of IC devices,higher photolithography resolution is required.
光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。
3) lithography
[英][lɪ'θɔɡrəfi] [美][lɪ'θɑgrəfɪ]
光刻技术
1.
The Status and Future of Lithography and It s Application;
光刻技术及其应用的状况和未来发展
2.
This paper has provided auto-focus method of semiconduct photo lithography on Digital Image Processing ,using arithmetic of digital image processing realize auto-focus .
提出了基于图像处理的半导体光刻技术自动调焦的方法,利用图象处理算法实现半导体光刻技术的自动调焦。
3.
This paper highlights the main challenges of IC technology sca ling in deep sub-micron and nanometer, which come from lithography, transistor scaling, sub-threshold leakage, interconnect scaling, power dissipation, platfo rm integration etc.
文中分析了按比例缩小在光刻技术、器件的亚阈特性、互连延迟以及功耗等方面面临的一些问题 ,同时从工艺、器件、电路、设计等方面提出一些相应的解决方
6) soft lithography
软光刻技术
1.
An angular quantification method of planar distortion for PDMS stamps in soft lithography was proposed by introducing angular parameter θ that was proportional to patterns planar distortion in magnitude.
引进与平面图案变形扭曲大小相称的角度参数θ,提出了一种对软光刻技术中PDMS印章的角度平面扭曲进行定量评价的方法。
2.
An important technology of soft lithography,namedμTM(microtransfer molding)is introduced.
介绍了软光刻技术中的一项关键技术———微传递成模(μTM),阐述了其特点、不足及其基本的工艺流程。
补充资料：光刻
? ±谜障喔粗朴牖Ц聪嘟岷系募际酰诠ぜ砻嬷迫【堋⑽⑾负透丛颖〔阃夹蔚?化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知，但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代，美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来，并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并已用于刻划光栅、线纹尺和度盘等的精密线纹。
光刻的基本原理是：利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻半导体晶片二氧化硅的主要步骤（见图）是：①涂布光致抗蚀剂；②套准掩模板并曝光：③用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层；④用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层；⑤去除已感光的光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂是一种对光敏感的高分子溶液，种类很多，根据光化学反应的特点一般可分为正性和负性两大类。凡用显影液能把感光的部分溶解去除的称为正性光致抗蚀剂；用显影液能把未感光的部分溶解去除的称为负性光致抗蚀剂。
光刻的精度很高，可达微米数量级，为使蚀刻线条清晰、边缘陡直、分辨率小于1微米的超微细图形,可采用远紫外曝光、X射线曝光、电子束扫描曝光,以及等离子体干法蚀刻等新技术。
参考书目
李家植编：《半导体化学原理》，科学出版社，北京，1980。
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参考词条