1) in-plane gate FET
平面栅场效应管
2) insulation gate field effect transistor
绝缘栅场效应管
1.
Preparation of Bi_2Ti_2O_7 thin film and its application in insulation gate field effect transistor;
Bi_2Ti_2O_7薄膜制备及 Bi_2Ti_2O_7绝缘栅场效应管研制
2.
Compared with the SiO_2 insulation gate field effect transistor of the same size,it can greatly increase the transconductance and lower the cut-in voltage.
用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的SiO2绝缘栅场效应管相比,前者具有较高的跨导和较低的开启电压。
3) MOSFET
['mɔsfet]
绝缘栅场效应管
1.
A shutter pulse generator for multi-slit streak camera was designed,which was realized using MOSFETs as switches.
以绝缘栅场效应管作为开关,采用截波法实现,克服了以雪崩晶体管为开关的储能电缆放电方法的缺点,具有体积小,脉宽连续可调,电源利用率高等优点。
4) Dual-Gate MOSFET
双栅场效应管
1.
Utilizing Dual-Gate MOSFET as mixer in phase laser range finder;
双栅场效应管混频器在相位法激光测距中的应用
6) metal oxide silicon field effect transistor(MOSFET)
绝缘栅型场效应管
补充资料：场效应晶体管
| 场效应晶体管 field effect transistor 利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 |
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参考词条