1) impurity-free vacancy disordering
无杂质空位诱导无序
2) impurity free vacancy disordering
无杂质空位诱导无序(IFVD)
3) IFVD
无杂质空位扩散
1.
Experiment on quantum well intermixing (QWI) of InGaAsP QWs by impurity free vacancy diffusion (IFVD) using SiO 2 encapsulation is reported.
报道了使用SiO2 介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验 ,得到 2 0 0nm的最大带隙波长蓝移 。
4) impurity free vacancy disordering(IFVD)
无杂质空位扩散(IFVD)
5) surface induced disordering
表面诱导无序
6) strain induced disordering and order
形变诱导有序无序化
补充资料：空位缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中的原子或离子离开格位后所留下的空格位称做空位缺陷，用V(vacancy的字首)表示空位缺陷。如氟化钙(CaF2)中氟离子空位表示成VF·，V表示是空位缺陷，右下角的符号F表示空位缺陷位于氟离子格位，右上角符号表示空位缺陷带有一个正有效电荷。
CAS号：
性质：晶体中的原子或离子离开格位后所留下的空格位称做空位缺陷，用V(vacancy的字首)表示空位缺陷。如氟化钙(CaF2)中氟离子空位表示成VF·，V表示是空位缺陷，右下角的符号F表示空位缺陷位于氟离子格位，右上角符号表示空位缺陷带有一个正有效电荷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条