1) high temperature reverse leakage current
高温反向漏电流
1.
Au-doped devices is superior in V F～ t rr property to the Pt-doped devices,but its high temperature reverse leakage current is much large than Pt-doped devices.
作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 。
2) High-temperature current leakage
高温漏电流
3) leakage current
反向漏电流
1.
A reverse leakage current of less than 2nA and an energy resolution of 0.
当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA。
2.
High leakage currents and soft reverse current-voltage characteristics are some of the detrimental effects produced by the metal atoms dissolved in the silicon matrix.
由于金属杂质原子扩散并沉积在器件的有源区，会造成诸如：反向漏电流较大，反向击穿电压是软击穿等有害的影响。
4) reverse leakage current
反向漏电流
1.
It is pointed out in this paper that the problems about the non-linearity of piezoresistors,electric drift of the offset and reverse leakage current were omitted in characterization of pressure sensors,but they have great influence upon the quality of pressure sensors.
指出过去在标征压力传感器的指标时,忽略了力敏电阻的非线性、零点电漂移、反向漏电流,但是这些问题对压力传感器的质量却有很大的影响;重点讨论了零点电漂移,并从理论上分析指出:零点电漂移起因于力敏电阻的非线性,可利用零点电漂移消除压力传感器的零热点漂移;讨论了造成力敏电阻非线性、电漂移、漏电流的各种因素,还提出一个表明零点热漂移和反向漏电流之间与传统公式不同的关系式。
5) reverse leakage current
反向漏(泄)电流
补充资料：反向漏电流（inverseleakagecurrent）
反向漏电流（inverseleakagecurrent）
流过处于反向工作的pn结的微小电流称为反向漏电流。理想pn结反向漏电流中还包括体内扩散电流与空间电荷区产生电流两部分，硅pn结空间电荷区产生电流起支配作用。反向漏电流的大小与组成pn结的半导体材料禁带宽度呈指数关系，反向漏电流中还包括表面漏电流，表面漏电流的大小与pn结制作工艺密切相关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条