1) trench MOS
槽栅MOS
2) Groove gate MOS devices
槽栅MOS器件
1.
The thin film thickness of SOI Groove gate MOS devices affects the threshold voltage, sub-threshold slope and saturation driving current sever.
SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力。
3) double gate MOS
双栅MOS
1.
Quantum modeling for nanoscale double gate MOSFETs based on Green s function;
纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟
4) offset gate MOS
偏置栅MOS
5) floating gate MOS
浮置栅MOS
6) Pd Bar MOS capacitance
Pd栅MOS电容
补充资料：E/D MOS电路
见增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条