1)  stacking fault
氧化层错
1.
High density of stacking faults induced in the silicon substr ate act as gettering centers even after the polysilicon is removed.
在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用。
2)  Oxidation inducedstacking faults
热氧化层错
3)  oxidation
氧化
1.
New process of isobutyric acid from isobutyraldehyde by water oxidation;
异丁醛加水氧化制异丁酸新工艺
2.
Catalytic oxidation of cyclohexanol into adipic acid using ammonium tungstate as catalyst;
钨酸铵催化氧化环己醇合成己二酸
3.
Oxidation Ability of Nanocrystalline Ni-Coated Al Powders;
纳米镍包覆超细铝复合粉末的氧化性能
4)  oxidization
氧化
1.
A Study of Fish Oil Extraction and Its Autioxidization;
鱼油提取及抗氧化性能研究
2.
Optimization plans for oxidization process of hydrogen peroxide production;
过氧化氢生产中氧化工序的优化
3.
Effective Factors on Lignin-based Surfactant Made by Oxidization of Wheat-straw Alkaline Lignin;
木质素氧化制取表面活性剂的适宜条件
5)  NO oxidation
NO氧化
1.
The results showed that NO reduction and NO oxidation.
结果表明:NO还原和氧化在其脱除过程中同时共存,当NO,N2,O2,H2O和CO2的体积浓度分别为200×10-6,80%,5%,6%和9%时,NO氧化所占的比例比NO还原的大很多;脉冲频率增大导致NO还原率和氧化率均增大;H2O浓度增大导致HNO3浓度增大,表明NO氧化所占的比例随H2O浓度增大而增大。
2.
The catalytic activities of four kinds of supports γ Al 2O 3, ZrO 2, TiO 2 and SiO 2 as well as the Pt catalysts supported on them were investigated for the NO oxidation at the reaction temperature 423K.
研究了载体在 SO2 影响 NO催化氧化过程中的作用 ,考察了反应温度为 42 3 K时 ,γ-Al2 O3、Zr O2 、Ti O2 和 Si O2 4种载体及其负载的 Pt催化剂对 NO的氧化性能 ,与 SO2 存在下的 NO反应活性相比 ,只有 γ-Al2 O3及其负载的 Pt催化剂上存在 SO2 促进 NO氧化的现象。
3.
A study is carried out to see the effects of reaction temperatures and / molar ratios on NO oxidation by ozone in a tube reactor.
当[O3]/[NO]=1、反应温度分别为常温和200℃时,NO氧化率都达到100%,而在275℃时,NO氧化率只有72%,表明反应温度影响显著,其原因主要与较高温度下O3分解加快有关。
6)  oxidize
氧化
1.
Copper colloid oxidized by air to prepare cuprous oxide nanoparticles;
铜胶体氧化法制备纳米氧化亚铜
2.
The representative endocrine disrupters(EDCs)Methomyl was oxidized by O3 and the impact of humic acid, hydrogen peroxide and hydroxyl radical inhibitor hydrogen carbonate ion and tert-butyl alcohol (TBA) on the Methomyl removal was discussed.
采用O3氧化去除水中内分泌干扰物灭多威,通过投加腐殖酸、过氧化氢及羟自由基抑制剂碳酸根离子和叔丁醇,考察灭多威的去除效果。
参考词条
补充资料：层错


层错
stacking fault

　　层错stacking fauit晶体原子层理想完整堆垛次序中出现的一个差错限排)。全称堆垛层错。是晶体中常见的一种面缺陷。以fcc晶体为例说明。fcc晶体fec理想堆垛可以视为由全同的{111}原子面密积堆垛而成(见图)。如称第一层为A，则第二层落在B位置，第三层落在C位置，第四层又为A位置。如此重复堆垛，形成无限序列…A B C A BC…，这就是理想的完整晶体。若有某生个B层在A层之上整个滑’移到C位置(1/6<112>滑移)，即是实现如下的进程: …ABC ABC ABC… CA BCA…于是原序列…A B C A B C A BC.二变为 .”A B cA{一c A B c A Bc…可见在l标记之处出现一个堆垛次序之误排，这里就是一个层错。在l处抽去一个B层，让上面的C层落下至A层之上，也形成同样的层错。在fcc晶体中通常有3种主要的设想的操作过程形成层错:①{111}面的1/6(112>滑移;②抽去一个{111}层，并令上下岸弥合;③插入一个{111}层。后两种过程可以通过空位或1 14填隙原子的凝聚而实现。 hcp晶体在(0001)面也可以形成层错。(0001)面的堆垛次序为…ABABAB.一若变为…ABA那BCB…，则在l处出现一个层错。bcc晶体{112}面为6层，为一个周期的堆垛，在此面上也可形成层错。其他各种不同晶体中可能出现的层错形式视其结构差异而不同。 层错单位面积的表面能称为层错能，一般记为补在密集结构晶体中，层错的引入不改变最近邻关系，只改变次近邻关系，且几乎不产生畸变，所以层错能的主要来源应是电子能。层错能可以用电子显微术观察而实测，或从一些其他观测结果推出，也可以理论计算。其数值例如在AI中为数百尔格每平方厘米，而在Au中则仅数十尔格每平方厘米。 层错的边界为不全位错，层错的存在和性质制约这些不全位错的运动。(杨顺华)
　　
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