1) bandgap narrowing
禁带变窄量
1.
An empirical method is proposed for determining the total bandgap narrowing in the base of a SiGe HBT,which is a function of temperature,impurity concentration and germanium fraction.
分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量 ,与实验数据进行了对比 ,两者符合得很好 。
2.
The apparent bandgap narrowing in bipolar transistors with ion implanted and epitaxial Si 0.
采用一种新的方法计算双极器件中离子注 B硅基区和原位掺 B的锗硅基区禁带变窄量 。
2) bandgap narrowing
禁带变窄
1.
The bandgap narrowing is distributed between the conduction and valence bands,according to the Jain-Roulston model,and its effects on the currents of abrupt AlGaAs/GaAs HBTs including the self-heating effect,are analyzed.
基于禁带变窄量在导带和价带之间的分布比例与掺杂浓度相关的Jain-Roulston模型,研究了重掺杂能带结构的变化对突变异质结HBT电流影响。
3) band gap narrowing (BGN)
禁带变窄效应
5) narrow gap region
窄禁带区
6) small gap materia
窄禁带材料
补充资料：禁
禁
禁 ①通噤。口噤不开。《素问·至真要大论》：“诸禁鼓栗，如丧神守，皆属于火。” ②闭结不通。《素问·六元正纪大论》：“太阳所至，为流泄禁止。” ③活动受限制。《素问·六元正纪大论》：“关节禁固。” ④控制。《丹溪心法》：“脾泄日久，大肠不禁，此脾已脱。” ⑤禁忌。《素问·热论》：“病热少愈，食肉则复，多食则遗，此其禁也。” ⑥古代祝由一类的方法。即用迷信祝祷的办法来禁止发病。见《串雅外编》。
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参考词条